一种巨量转移方法技术

本发明专利技术涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种巨量转移方法，其系统包括：提供一生长基底，生长基底上包括至少一个led芯片，至少一个led芯片中的每个led芯片包括第一金属接触点；将生长基底与预先准备好目标基底进行对位，使至少一个led芯片中的待转移led芯片的第一金属接触点与目标基底上的目标金属焊盘对准；利用激光对第一金属接触点进行加热，使第一金属接触点熔融后与目标金属焊盘相结合；利用激光对待转移led芯片与生长基板的接触面进行加热，使生长基底与待转移led芯片脱离。本发明专利技术在加工过程中仅需要经过一次转移，其加工过程较为简单，有效地节省了制造成本，有利于产品的大批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种巨量转移方法
本专利技术涉及发光二极管
，具体涉及一种巨量转移方法。
技术介绍
微型发光二极管（MicroLED），即发光二极管微缩化和矩阵化技术,其具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,其具有极大的应用前景。由微型发光二极管制作成显示屏是显示设备未来的主流发展方向；在现有的制造微型发光二极管的过程中，微型发光二极管阵列首先形成在生长基底上；然后，需要先将微型发光二极管阵列转移到载体基底中，再经由载体基底转移到接收基底中；其中，接收基底包括TFT背板。由于现有的加工方法相对复杂，其需要通过两次转移，故导致制造成本较高，不利产品的大批量生产。
技术实现思路
为克服上述缺陷，本专利技术的目的即在于提供一种操作简便的MicroLED巨量转移方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：本专利技术是一种巨量转移方法，包括：提供一生长基底，所述生长基底上包括至少一个led芯片，所述至少一个led芯片中的每个led芯片包括第一金属接触点；将所述生长基底与预先准备好目标基底进行对位，使所述至少一个led芯片中的待转移led芯片的第一金属接触点与所述目标基底上的目标金属焊盘对准；利用激光对所述第一金属接触点进行加热，使所述第一金属接触点熔融后与所述目标金属焊盘相结合；利用激光对所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面进行加热，使所述生长基底与所述待转移led芯片脱离。<br>在本专利技术中，所述利用激光对所述第一金属接触点进行加热包括：利用第一激光对所述生长基底进行照射，使所述第一激光的光束穿过所述生长基底和所述led芯片的发光部后聚焦到所述第一金属接触点上，对所述第一金属接触点进行加热。在本专利技术中，所述第一激光光束的光子能量介于所述生长基底和与所述发光部的能隙之间。在本专利技术中，所述利用激光对所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面进行加热包括：利用第二激光对所述生长基底进行照射，使所述第二激光的光束穿过所述生长基底后聚焦到所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面上，对所述接触面所在的发光部进行加热。在本专利技术中，所述第二激光的波长为200nm-355nm。在本专利技术中，所述提供一生长基底包括：在所述生长基底上形成外延层，在所述外延层上形成第一金属接触点，对所述第一金属接触点进行图案化处理，并按所述第一金属接触点上的图案对所述外延层进行蚀刻，形成所述至少一个led芯片。在本专利技术中，所述第一金属接触点中的金属材料的熔点低于所述目标金属焊盘中的金属材料的熔点。在本专利技术中，所述生长基底为蓝宝石衬底，所述外延层由氮化镓组成。在本专利技术中，所述发光部包括N型半导体层、P型半导体层、发光层、N型电极以及P型电极，所述N型电极与所述N型半导体层相接触，所述P型电极与所述P型半导体层接触，所述发光层位于所述N型半导体层与所述P型半导层体之间。在本专利技术中，所述外延层还包括：电流传输层、缓冲层。本专利技术的巨量转移方法，其将生长基底中的第一金属区与目标基底中的第二金属区进行对位，然后使所述第一金属区熔融后与所述第二金属区相结合；再对所述外延层进行加热，使所述生长基底与所述外延层相脱离；其在加工过程中仅需要经过一次转移，其加工过程较为简单，有效地节省了制造成本，有利于产品的大批量生产。附图说明为了易于说明，本专利技术由下述的较佳实施例及附图作详细描述。图1为本专利技术的巨量转移方法一个实施例的工作流程示意图；图2为本专利技术的步骤S101的工作原理示意图；图3为本专利技术的步骤S102的工作原理示意图；图4为本专利技术的的步骤S103的工作原理示意图；图5为本专利技术的的步骤S104的工作原理示意图；图6为本专利技术的巨量转移方法另一个实施例的工作流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接。可以是机械连接，也可以是电连接。可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面以一个实施例对本专利技术的一种巨量转移方法进行具体描述，请参阅图1至图5，其包括：S101.提供一生长基底，所述生长基底上包括至少一个led芯片，所述至少一个led芯片中的每个led芯片包括第一金属接触点。提供一生长基底301，所述生长基底301上包括至少一个led芯片，所述至少一个led芯片中的每个led芯片包括第一金属接触点303；其具体为：在生长基底301上生成外延层302，并在所述外延层302上镀上第一金属层；对所述第一金属层进行图案化处理形成所述接触点303，并按所述第一金属接触点303对所述外延层302进行蚀刻，形成所述至少一个led芯片；其中，所述生长基底301为蓝宝石衬底，所述外延层302由氮化镓GaN组成；其中，该外延层302构成了LED芯片的主体；其具体为：先在蓝宝石衬底上制作出由氮化镓材料组成的外延层302，然后在外延层302的表面蒸镀或溅镀上多个第一金属接触点303；其中，该第一金属接触点303由熔点低的金属构成，例如锡。在本实施例中，该led芯片中的发光部包括N型半导体层、P型半导体层、发光层、N型电极以及P型电极，所述N型电极至少部分嵌入所述N型半导体层中，或所述N型电极至少部分与所述N型半导体层接触，所述P型电极至少部分嵌入所述P型半导体层中，或所述P型电极至少部分与所述P型半导体层接触，所述发光层位于所述N型半导体层与所述P型半导层体之间。S102.将第一金属接触点与目标金属焊盘相对接。将所述生长基底301与预先准备好目标基底305进行对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：/n提供一生长基底，所述生长基底上包括至少一个led芯片，所述至少一个led芯片中的每个led芯片包括第一金属接触点；/n将所述生长基底与预先准备好目标基底进行对位，使所述至少一个led芯片中的待转移led芯片的第一金属接触点与所述目标基底上的目标金属焊盘对准；/n利用激光对所述第一金属接触点进行加热，使所述第一金属接触点熔融后与所述目标金属焊盘相结合；/n利用激光对所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面进行加热，使所述生长基底与所述待转移led芯片脱离。/n

【技术特征摘要】
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：
提供一生长基底，所述生长基底上包括至少一个led芯片，所述至少一个led芯片中的每个led芯片包括第一金属接触点；
将所述生长基底与预先准备好目标基底进行对位，使所述至少一个led芯片中的待转移led芯片的第一金属接触点与所述目标基底上的目标金属焊盘对准；
利用激光对所述第一金属接触点进行加热，使所述第一金属接触点熔融后与所述目标金属焊盘相结合；
利用激光对所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面进行加热，使所述生长基底与所述待转移led芯片脱离。


2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述利用激光对所述第一金属接触点进行加热包括：
利用第一激光对所述生长基底进行照射，使所述第一激光的光束穿过所述生长基底和所述led芯片的发光部后聚焦到所述第一金属接触点上，对所述第一金属接触点进行加热。


3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一激光光束的光子能量介于所述生长基底和与所述发光部的能隙之间。


4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述利用激光对所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面进行加热包括：
利用第二激光对所述生长基底进行照射，使所述第二激光的光束穿过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：安金鑫，林子平，李刘中，张雪，肖守均，黄嘉桦，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50