【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种发光芯片的转移方法及显示背板。
技术介绍
1、随着发光芯片技术的成熟，可预见的将会带来更大规模的增长。尺寸逐渐变小的发光芯片将会给显示行业带来革命性的改变，在对比度、功耗、分辨率、亮度和寿命等方面带来大幅提升。
2、而在发光芯片转移方案中,使用导电胶进行键合是较为热门的一种直接键合方案，目前有一种导电胶里面含有的焊料粒子非阵列排布，受热后焊料粒子可以自动聚集在金属表面，从而完成发光芯片与背板的键合，但是这种导电胶普遍存在聚集在各发光芯片之间的间隙。而发光芯片和发光芯片之间因导电胶的焊料粒子聚集而形成短路，会影响发光芯片发光，产品良率低。此外在键合过程中，由于存在当前下压头压力均匀性的限制、承载基板和背板的翘曲、热膨胀系数差异等问题，当压力过小，发光芯片与导电胶材的键合效果不理想，从而导致与背板欧姆接触失败，压力过大则导致发光芯片破碎。
3、因此，在发光芯片在转移过程中，各发光芯片之间因焊料粒子聚集而形成短路，影响发光芯片发光，发光芯片因外界压力容易受损，产品良率低，是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片的转移方法及显示背板，旨在解决在发光芯片在转移过程中，各发光芯片之间因焊料粒子聚集而形成短路，影响发光芯片发光，发光芯片因外界压力容易受损，产品良率低。
2、一种发光芯片的转移方法，包括：
3、提供一驱动背板，所述驱动背板上设有若干金属焊盘，于所述驱
4、提供一承载基板，所述承载基板上设有若干发光芯片，各所述发光芯片之间具有间隙，且各所述发光芯片远离所述承载基板的一面设有至少两个金属电极；所述间隙内填充第一绝缘胶层，所述第一绝缘胶层远离所述承载基板的一面至所述承载基板的第一距离，大于等于所述发光芯片内的金属电极远离所述承载基板的一面至所述承载基板的第二距离；
5、将所述金属电极与对应的所述金属焊盘对位贴合；
6、施加预设温度，使得所述导电胶层中的金属导电粒子在所述金属电极和/或所述金属焊盘的表面聚集，所述第一绝缘胶层在所述金属导电粒子聚集过程中阻挡所述导电胶层中的所述金属导电粒子进入所述间隙；
7、将所述金属电极及所述金属焊盘压合，使得所述金属导电粒子将所述金属电极与所述金属焊盘键合。
8、上述发光芯片的转移方法，其中该转移方法中将金属电极与金属焊盘对位贴合；施加预设温度，使得导电胶层中的金属导电粒子在金属电极和/或所述金属焊盘的表面聚集，第一绝缘胶层在金属导电粒子聚集过程中阻挡导电胶层中的金属导电粒子进入间隙；将电极及焊盘压合，使得金属导电粒子将电极与焊盘键合。可避免各发光芯片之间因焊料聚集而形成短路，影响发光芯片发光，以提高产品良率，提高转移良率，同时降低发光芯片被划伤或压伤的风险。
9、可选地，所述发光芯片上相邻所述金属电极之间的第二绝缘胶层，所述第二绝缘胶层在所述金属导电粒子聚集过程中阻挡所述导电胶层中的所述金属导电粒子进入所述相邻所述金属电极之间。通过第二绝缘胶层的设置，可避免焊料聚集时将芯片上相邻电极之间导通，形成短路，保证发光芯片与背板键合良好及其键合稳定性。
10、可选地，所述第一绝缘胶层和所述第二绝缘胶层中的至少之一为透光胶层。使得增加的第一绝缘胶层和第二绝缘胶层尽量不影响发光芯片发光。
11、可选地，所述金属导电粒子包括：sn粒子。使用sn粒子作为金属导电粒子导电性较好。
12、可选地，所述金属导电粒子的粒径为1um至4um。其中较小的金属导电粒子粒径可减小各粒子的间隙，提高导电性能。
13、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示背板，包括驱动背板，所述驱动背板上设有若干金属焊盘及导电胶层，所述导电胶层将各所述金属焊盘覆盖，所述导电胶层中包括金属导电粒子；
14、若干发光芯片以及第一绝缘胶层；所述发光芯片通过上述发光芯片的转移方法转移至所述驱动背板上，使各所述发光芯片之间间隙中的所述第一绝缘胶层被配置为阻挡所述金属导电粒子进入所述间隙。
15、上述显示背板，其中发光芯片通过如上述发光芯片的转移方法转移至所述驱动背板上，使各发光芯片之间间隙中的第一绝缘胶层被配置为阻挡金属导电粒子进入间隙。可避免各发光芯片之间因焊料聚集而形成短路，影响发光芯片发光，以提高产品良率，提高转移良率，在各发光芯片之间形成缓冲，降低发光芯片被划伤或压伤的风险。
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1.一种发光芯片的转移方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，在将所述金属电极与及所述金属焊盘压合之后还包括：去除所述承载基板。
3.如权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述发光芯片上相邻所述金属电极之间设有第二绝缘胶层，所述第二绝缘胶层在所述金属导电粒子聚集过程中阻挡所述导电胶层中的所述金属导电粒子进入所述相邻所述金属电极之间。
4.如权利要求3所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述第二绝缘胶层远离所述承载基板的一面至所述承载基板的第三距离大于等于所述第二距离。
5.如权利要求3或4所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述第一绝缘胶层和所述第二绝缘胶层中的至少之一设置为透光胶层。
6.如权利要求1-4任一项所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述第一距离的取值为8um至9um。
7.如权利要求1-4任一项所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述金属导电粒子包括：Sn粒子。
8.如权利要求1-4任一项所述的发光芯片的转移方法，其特征在
9.如权利要求1-4任一项所述发光芯片的转移方法，其特征在于，所述预设温度的取值为150℃至200℃。
10.一种显示背板，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光芯片的转移方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，在将所述金属电极与及所述金属焊盘压合之后还包括：去除所述承载基板。
3.如权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述发光芯片上相邻所述金属电极之间设有第二绝缘胶层，所述第二绝缘胶层在所述金属导电粒子聚集过程中阻挡所述导电胶层中的所述金属导电粒子进入所述相邻所述金属电极之间。
4.如权利要求3所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述第二绝缘胶层远离所述承载基板的一面至所述承载基板的第三距离大于等于所述第二距离。
5.如权利要求3或4所述的发...
【专利技术属性】
技术研发人员：周露，萧俊龙，王旋，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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