【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种芯片转移方法、发光装置和发光装置的制作方法。
技术介绍
1、micro led(micro light emitting diode，微型发光二极管)是指尺寸小于100um的芯片。micro led具有高分辨率、低功耗、高亮度、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄、寿命长等特性，每一个micro led寻址并且可以单独驱动点亮，相较oled(organiclight emitting diode，有机发光二极管)也更加省电，反应速度更快，亮度和饱和度相比之下也更高。
2、目前常用的micro led生产方式包括巨量转移，在巨量转移过程中，利用转移印章对micro led芯片进行转移，转移印章是否能够成功拾取micro led芯片，以及是否能够成功使micro led芯片被放置到后续的载体上，是巨量转移能否成功的重要因素。
3、因此，如何保证巨量转移的成功率是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提...
【技术保护点】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，将所述芯片以及所述牺牲层转移至转移基板包括：
3.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述转移基板上形成有图案，将所述芯片以及所述牺牲层转移至转移基板包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，所述牺牲层包括第一胶层以及第二胶层，所述第一胶层和所述第二胶层接触同一所述芯片的不同区域，且第二胶层接触所述芯片的面积小于芯片远离所述供体基板一侧的表面积；
5.如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在...
【技术特征摘要】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，将所述芯片以及所述牺牲层转移至转移基板包括：
3.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述转移基板上形成有图案，将所述芯片以及所述牺牲层转移至转移基板包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，所述牺牲层包括第一胶层以及第二胶层，所述第一胶层和所述第二胶层接触同一所述芯片的不同区域，且第二胶层接触所述芯片的面积小于芯片远离所述供体基板一侧的表面积；
5.如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在设置有芯片的供体基板上设置将所述芯片覆盖...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴广超，马非凡，赵永周，王子川，黄兆斌，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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