【技术实现步骤摘要】
本申请涉及发光二极管领域，尤其涉及一种钝化层及外延片的制作方法、外延片、发光芯片和显示器。
技术介绍
1、在micro led(微型发光二极管)行业中，通常在芯片表面形成氧化铝层以作为钝化层，此钝化层可用于延缓芯片被腐蚀的速度，对芯片起保护作用，从而提高芯片的可靠性。由于氧化铝钝化层具有硬度高的特点，对于刻蚀制程来说，严重降低了刻蚀速率，极大抑制了设备产能。
2、因此，如何提供一种利于刻蚀的钝化层是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种钝化层及外延片的制作方法、外延片、发光芯片和显示器，旨在解决相关技术中因氧化铝钝化层的硬度高造成刻蚀难度大及刻蚀效率低的问题。
2、本申请提供一种外延片中钝化层的制作方法，包括：
3、在外延主体上形成氧化铝层；
4、按照第一预设温度对所述氧化铝层进行第一退火处理，使得所述氧化铝层表面中存在游离的铝离子和游离的氧离子；
5、利用离子注入工艺在所述氧化铝层表...
【技术保护点】
1.一种外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述在外延主体上形成氧化铝层包括：
3.如权利要求2所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺的温度为300℃-500℃，所述含有氧化硅的损伤层的厚度小于等于所述氧化铝层的厚度的一半。
4.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第一预设温度为100℃-400℃。
5.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第二预设温度为300℃-800℃。
<...【技术特征摘要】
1.一种外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述在外延主体上形成氧化铝层包括：
3.如权利要求2所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺的温度为300℃-500℃，所述含有氧化硅的损伤层的厚度小于等于所述氧化铝层的厚度的一半。
4.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第一预设温度为100℃-400℃。
5.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第二预设温度为300℃-80...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈洋，苏财钰，张涛，苟先华，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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