【技术实现步骤摘要】
本申请涉及发光二极管领域，尤其涉及一种钝化层及外延片的制作方法、外延片、发光芯片和显示器。
技术介绍
1、在micro led(微型发光二极管)行业中，通常在芯片表面形成氧化铝层以作为钝化层，此钝化层可用于延缓芯片被腐蚀的速度，对芯片起保护作用，从而提高芯片的可靠性。由于氧化铝钝化层具有硬度高的特点，对于刻蚀制程来说，严重降低了刻蚀速率，极大抑制了设备产能。
2、因此，如何提供一种利于刻蚀的钝化层是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种钝化层及外延片的制作方法、外延片、发光芯片和显示器，旨在解决相关技术中因氧化铝钝化层的硬度高造成刻蚀难度大及刻蚀效率低的问题。
2、本申请提供一种外延片中钝化层的制作方法，包括：
3、在外延主体上形成氧化铝层；
4、按照第一预设温度对所述氧化铝层进行第一退火处理，使得所述氧化铝层表面中存在游离的铝离子和游离的氧离子；
5、利用离子注入工艺在所述氧化铝层表面中注入硅离子，以在所述氧化铝层表面形成含有氧化硅的损伤层；以及
6、按照第二预设温度对所述氧化铝层进行第二退火处理，使得所述损伤层内的硅离子扩散至所述氧化铝层内，以得到利于刻蚀的钝化层。
7、上述外延片中钝化层的制作方法，在外延主体上形成氧化铝层之后，先对氧化铝层进行第一退火处理，通过第一退火处理使得氧化铝层表面中铝-氧化学键发生断裂，产生了游离的铝离子和游离的氧离子，从
8、可选地，所述在外延主体上形成氧化铝层包括：
9、利用原子层沉积工艺在所述外延片上沉积厚度大于1100埃的氧化铝层。
10、可选地，所述离子注入工艺的温度为300℃-500℃，所述含有氧化硅的损伤层的厚度小于等于所述氧化铝层的厚度的一半。
11、可选地，所述第一预设温度为100℃-400℃。
12、可选地，所述第二预设温度为300℃-800℃。
13、可选地，所述第一预设温度小于所述第二预设温度。
14、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片的制作方法，包括：
15、以前文所述的外延片中钝化层的制作方法在所述外延片主体上形成钝化层，其中，所述外延片主体包括依次层叠设置的第二半导体层、有源层和第一半导体层；
16、刻蚀所述钝化层以形成对应电极的通孔；以及
17、在所述通孔处设置电极。
18、上述发光芯片的制作方法，通过前文所述的发光芯片的制作方法形成一利于刻蚀的钝化层，接着在钝化层上形成对应电极的通孔时，刻蚀难度低，刻蚀效率高，从而节省了发光芯片的制作时间，降低了发光芯片的制作成本。
19、可选地，所述外延片主体还包括设置在所述第一半导体层远离所述有源层一侧的透明导电层；
20、所述刻蚀所述钝化层以形成对应电极的通孔包括：刻蚀所述钝化层以形成第一通孔和第二通孔，使得所述透明导电层通过所述第一通孔外露和所述第二半导体层通过所述第二通孔外露；
21、所述在所述通孔处设置电极包括：分别在所述第一通孔、所述第二通孔中设置第一电极、第二电极。
22、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片，包括：所述发光芯片采用如前文所述的发光芯片的制作方法制得。
23、上述发光芯片，通过前文所述的发光芯片的制作方法制成，其制作过程中，在钝化层上形成对应的电极通孔时，刻蚀难度低，刻蚀效率高，从而节省了发光芯片的制作时间，降低了发光芯片的制作成本。
24、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示器，包括显示背板和多个如前文所述的发光芯片，多个所述发光芯片呈阵列排布在所述显示背板上。
25、上述显示器采用了前文所述的发光芯片，制作成本低。
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1.一种外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述在外延主体上形成氧化铝层包括：
3.如权利要求2所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺的温度为300℃-500℃，所述含有氧化硅的损伤层的厚度小于等于所述氧化铝层的厚度的一半。
4.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第一预设温度为100℃-400℃。
5.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第二预设温度为300℃-800℃。
6.如权利要求4或5所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第一预设温度小于所述第二预设温度。
7.一种发光芯片的制作方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述外延片主体还包括设置在所述第一半导体层远离所述有源层一侧的透明导电层；
9.一种发光芯片，其特征在于，包括：所述发光芯片采用如权利要求7或8所述的发光芯片的制作方法制得。
10.一种显示器，包括显示背板和多个如权利要求9所述的发光芯片，多个所述发光芯片呈阵列排布在所述显示背板上。
...【技术特征摘要】
1.一种外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述在外延主体上形成氧化铝层包括：
3.如权利要求2所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺的温度为300℃-500℃，所述含有氧化硅的损伤层的厚度小于等于所述氧化铝层的厚度的一半。
4.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第一预设温度为100℃-400℃。
5.如权利要求1所述的外延片中钝化层的制作方法，其特征在于，所述第二预设温度为300℃-80...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈洋，苏财钰，张涛，苟先华，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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