本发明涉及一种基板处理方法和基板处理系统，能够适当地对离子体处理后的基板进行除电处理。该基板处理方法用于对基板进行处理，包括以下工序：工序(a)，将所述基板载置在静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘...

本发明提供蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统，能够相对于掩模的蚀刻提高基片内的区域的蚀刻的选择性，提高在该区域形成的开口的垂直性。例示的实施方式蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。掩模形...

在公开的等离子体处理装置中，在第1期间供给用于生成等离子体的高频电力，在第2期间设定为高频电力的功率电平减少的功率电平。在第2期间，偏置电力施加到基板支承器的下部电极。偏置电力在由第2频率限定的各周期内使基板的电位变动。在第2期间，直流...

本发明提供一种基板处理装置，能够缩短从安装了整流构件之后到能够稳定地进行动作为止的时间。基板处理装置具有：空气供给部，其向基板所处的位置供给空气；以及整流构件，其具有多个贯通孔，对从所述空气供给部供给的所述空气进行整流，其中，所述整流构...

本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，在去除形成于基板的表面的含硅膜时，在基板的面内的各部进行均匀性高的去除处理。进行包含以下工序的处理：将表面形成有含硅膜的基板保存在处理容器内；第一工序，在使所述处理容器内为第一压力的状态下，向...

本发明提供一种载置台和等离子体处理装置。载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)...

提供一种在维持等离子体密度的同时施加射频功率的脉冲波的处理方法及等离子体处理装置。该处理方法使用具有第一电极和第二电极的等离子体处理装置，该处理方法包括：将第一射频功率的脉冲波施加到所述第一电极或所述第二电极中的任意一者的工序；以及以与...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够进行基板面内的氟树脂膜的形成范围的调节。基板处理装置具备：疏水化处理部，其构成为进行疏水化处理，在该疏水化处理中通过疏水化处理用的疏水化气体的蒸镀来在基板的表面形成疏水化膜；紫外线照射部，其...

例示的实施方式的等离子体处理装置包括处理容器、工作台、上部电极、导入部和波导部。工作台设置于处理容器内。上部电极隔着处理容器内的空间设置于工作台的上方。导入部是高频的导入部。高频是VHF波或者UHF波。导入部设置于空间的横向端部，绕着处...

本发明为分析装置，其用于对检查对象体的检查的状态进行分析，上述检查对象体形成有多个检查对象器件，上述检查使用探针卡进行，上述探针卡形成有多个与上述检查对象器件接触的探针，上述分析装置包括：显示图像的显示部；和图像生成部，其生成在上述显示...

本发明提供一种用于对检查对象体的检查结果进行分析的分析装置，所述检查对象体形成有分别具有在电气检查时因与探针接触而形成针迹的电极的多个检查对象器件，所述分析装置包括显示图像的显示部和生成所述显示部所要显示的图像的图像生成部，所述图像生成...

在层叠于被蚀刻膜上的碳硬掩模的一个实施方式中，碳硬掩模中所含的亚甲基CH

本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。

一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所...

提供一种能够执行高精度的虚拟测定处理的虚拟测定装置、虚拟测定方法及虚拟测定程序。虚拟测定装置包括：取得部，取得在制造工艺的预定处理单元中伴随对象物的处理而测定出的时间序列数据组；以及学习部，以使通过利用多个网络部对取得的所述时间序列数据...

基板处理装置包括研磨部，该研磨部具有：研磨头(75)，其对晶圆W的主表面进行研磨；旋转驱动部(82)，其使研磨头(75)绕轴线Ax1旋转；以及旋转驱动部(84)，其使轴线Ax1沿着绕与轴线Ax1平行的轴线Ax2的圆形轨道移动。研磨头(7...

一种基板处理装置，对基板进行处理，所述基板处理装置具有：保持部，其保持将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中的所述第二基板；以及改性部，其针对被所述保持部保持的所述第一基板的内部，沿着作为去除对象的周缘部与中央部之间的边界照射周缘用激...

本发明提供位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法，能够准确地检测在基板未被吸附于载置台的状态下产生的位置偏离。基板的位置偏离检测方法包括以下步骤：获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息；在解...

本发明提供一种基板处理装置以及吹扫方法。提供能够缩短将基板搬送室内置换为非活性气体的时间的技术。本公开的一个方式的基板处理装置具有：基板搬送室，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及袋体，其设置在所述基板搬送室内，通过导入气...

[课题]提供：可以抑制蚀刻后的金属膜的表面粗糙的基板处理装置、基板处理方法和化学溶液。[解决方案]基板处理装置具备：基板旋转部，其保持在表面形成有金属的膜的基板并使其旋转；第1供给部，其向前述基板供给包含螯合剂和溶剂的第1处理液；第2供...