提供了用于对衬底进行加工的方法。某些膜(包括含金属的膜)当被沉积到半导体晶圆上时可能会造成缺陷和污染。本文的方法通过选择性地阻挡金属颗粒和含金属的材料的粘附来限制金属污染。方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法...

基板处理装置的控制部执行以下工序：清洗工序，在将从由基板保持部保持的基板(清洗用基板)的上表面起至盖构件的下表面为止的上下方向距离设为第一距离的状态下，一边通过旋转驱动部使基板旋转，一边从清洗液供给部向基板的上表面供给清洗液，由此通过充...

本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭...

本发明提供的基片处理的条件设定辅助方法包括：将数据集输入到机器学习装置的步骤，其中，数据集包括基片处理的处理条件和关于该基片处理的质量的实际数据，基片处理由基片处理装置执行并且包括对基片供给处理液的处理；和基于学习模型导出基片处理的推荐...

本发明提供基板处理装置和载置台。在利用具有贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。用于对基板进行处理的基板处理装置包括：具有沿上下方向贯通的贯通孔的载置台，其上表面供基板载置并对基板进行加热...

本发明提供一种基片处理装置用的部件和基片处理系统。该基片处理装置用的部件在上述部件的表面和/或内部具有已加工的标记，上述标记构成为能够根据通过加工而形成于上述部件的槽和/或两种以上的颜色来读取二维码信息。根据本发明能够提高基片处理装置用...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制副产物的向腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域的沉积。腔室用于对基板进行等离子体处理。加热器与腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电...

本发明提供能够降低用于等离子体处理的边缘环的更换频率并且抑制传热气体的泄漏的边缘环和基片处理装置。边缘环具有环状的第一部件和环状的第二部件，第一部件在下表面具有凹部并且由具有耐等离子性的第一材料形成，第二部件配置在第一部件的凹部并且由与...

本发明提供一种输送系统和输送方法。输送聚焦环的输送系统包括处理系统和位置检测系统，处理系统包括：处理装置，其具有腔室主体和包含基片载置区域及聚焦环载置区域的载置台；以及能够输送聚焦环的输送装置，位置检测系统包括：光源；构成为使光出射并且...

本发明提供一种等离子体处理装置和电极消耗量测定方法，能够不打开腔室地高精度地测定上部电极的消耗量。等离子体处理装置(100)具有相向的喷淋头(16)和载置台(2)。第一RF电源(10a)对喷淋头(16)和载置台(2)中的任一电极以不使等...

本发明涉及一种液体处理装置以及处理液的温度调整方法。在对向喷出喷嘴供给的处理液进行温度调整时防止水分混入该处理液。液体处理装置具有：基板保持部，其用于保持基板；喷出喷嘴，其向保持于基板保持部的基板喷出处理液；液体供给管，其将来自处理液的...

本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动...

本发明的提供能够提高减压干燥处理的均匀性的减压干燥装置和减压干燥方法。本发明的一个方式的减压干燥装置进行使基片上的液体在减压状态下干燥的减压干燥处理。实施方式的减压干燥装置包括腔室、多个顶升销和工作台。腔室收纳基片，顶升销具有与基片的下...

本发明提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：内管，其收容多张基板；外管，其包围所述内管；可动壁，其设置成能够在所述内管的内部或所述内管与所述外管之间移动；气体供给部件，其向所述基板供给处理气体；以及排气...

一种三维(3D)集成电路(IC)包括具有衬底表面的衬底、设置在该衬底中的电力轨、以及第一半导体器件层级，该第一半导体器件层级设置在该衬底中并且沿着该衬底的厚度方向位于该电力轨之上。布线层级设置在该衬底中，并且第二半导体器件层级设置在该衬...

一种基板处理装置，其具有加载部、加载互锁室、处理模块、基板输送机构、以及控制部，基板输送机构具有多个基板保持部，各基板保持部构成为保持1张基板，控制部在处理模块逐张处理基板的情况下控制基板输送机构，以使第1基板保持部在加载部与处理模块之...

在一个实施例中，一种方法包括在半导体晶圆制作工艺期间的多个工艺步骤中的每个工艺步骤处获得半导体晶圆的特性的晶圆测量结果(框811)，其中，这些晶圆测量结果中的每一个与该半导体晶圆上的从中获得该测量结果的空间位置相关联。该方法可以进一步包...

本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。

本发明提供对边缘环稳定地施加电压的载置台和基片处理装置。载置台包括：载置基片的基片载置面；在上述基片载置面的周围载置边缘环的边缘环载置面；和形成于上述边缘环载置面的导电性的电极，其能够将电压供给到上述边缘环。

本发明涉及一种通过第一阶段和第二阶段处理基板的设备和方法。在第一阶段，在保持有基板的腔室中执行混合气体施用循环。引入第一气体持续第一时间段，以使第一气体的组分吸附到基板上。随后，引入第二气体持续第二时间段，以使第二气体与第一气体的组分反...