提供一种用于对反应产物附着在设置于等离子体处理装置上的部件之间的间隙的情况进行抑制的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：第一部件，设置在处理容器内；以及第二部件，设置在所述第一部件的外侧，其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少...

本发明涉及配管和处理装置。抑制配管的连接部分处的放电的产生。一种配管，其配置在具有电位差的两个导电性构件之间，使气体从一个所述导电性构件向另一个所述导电性构件流动，其中，该配管具备外筒、芯材以及高介电常数构件。芯材配置在外筒内，具有与外...

本实用新型提供释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处理装置。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括：形成有与处理液供给通路连通的第...

本发明提供能够抑制载置被检查体的载置台因载荷而产生的移位的载置台和检查装置。提供如下载置台：该载置台载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，该载置台包括：第1冷却板，其形成有第1制冷...

本发明提供能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置执行：向收纳有在表面附着有液体的基板的处理容器内供给处理流体而使处理容器内的压力上升到比处理流体的临界压力高的处理压力的工序；一边将处理容器内的压力...

本发明提供一种基板清洗装置和基板清洗方法，在使用处理气体进行基板的处理后适当地将残留于基板的气体成分去除。基板的清洗装置具有：气化部，其构成为输出水蒸气；第一加热部，其构成为将氮气加热至第一温度；第二加热部，其构成为将氮气加热至第二温度...

本申请涉及蚀刻方法以及蚀刻装置，改善通过蚀刻形成的图案的形状或形状在基板面内的均匀性。蚀刻方法包括：工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)是将具有被蚀刻膜的基板提供至载置台上的工序。工序b)是对被蚀刻膜进行局部蚀刻...

本发明提供一种提高在等离子体蚀刻时含硅膜的蚀刻相对于掩模的蚀刻的选择比的技术。示例性实施方式的基板处理方法包括向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模。基板处理方法还包括在腔室内由包含氟化氢气体的...

本发明提供一种导热性构件、等离子体处理装置以及电压控制方法，该导热性构件能够稳定地传递热，且容易进行维护。提供一种导热性构件，设置于等离子体处理装置中，所述等离子体处理装置具有：第一静电吸盘，其用于在提供等离子体处理空间的处理容器内载置...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。能够减少基板处理装置的动作且缩短基板处理所花费的时间。基板处理装置具备：保持部，保持基板；液供给部，对由保持部保持的状态下的基板的主表面按顺序供给第1处理液和不同于第1处理液的第2处理液；摩擦体，在...

本公开提供一种气体供给系统及其控制方法、等离子体处理装置，能够响应性良好地分配气体。该气体供给系统被连接在具有第一气体入口和第二气体入口的腔室与气体源之间，并且具有：流量调整单元，其具备多个流量调整线路，各流量调整线路具有成对的第一线路...

披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；...

本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二...

在一个示例性实施例中，本文描述了一种用于减小微粒与衬底表面之间的吸引力以辅助去除衬底表面上的微粒的新颖技术。更具体而言，利用一种多电极吸盘来辅助清洁衬底。利用该多电极吸盘减小微粒与该衬底之间的吸引力并移动该衬底表面上存在的松动微粒。使用...

本发明提供与多个天线的配置无关地、能够自由地进行等离子体分布控制的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线单元，...

本发明涉及基板处理装置和基板收纳容器保管方法。在使收纳了基板的基板处理容器暂时待机的保管部保管比以往更多的基板收纳容器。用于处理基板的基板处理装置具有：基板收纳容器载置部，其在基板处理装置载置基板收纳容器，该基板收纳容器收纳要处理的基板...

本发明提供基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法，能够使基片输送装置小型化。基片收纳装置设置于基片输送装置，与多个在内部具有基片输送机构的真空输送单元在其接连设置的方向上相邻，基片收纳装置包括：中空的壳体，其在接连设置方向的...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法包括形成工序和处理工序。在形成工序中，通过将降低了氧浓度的碱处理液供给到基片，在基片形成碱处理液的液膜。在处理工序中，在基片形成有给定的厚度的液膜的状态下，供给碱处理液并且使基...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制在对基板处理部进行了清洗处理之后液处理的性能恶化的技术。本公开的一形态的基板处理装置具备基板处理部、排液部以及控制部。基板处理部从处理液供给部向所载置的基板供给处理液而进行液处理...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理液浸曝光后的、表面具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的基片处理方法和基片处理装置中，与处理前的基片表面的接触角的大小无关地，能够使得用于液浸曝光的水、清洗液在处理后不残留在基片的表面。基片处理方法包...