等离子体处理装置制造方法及图纸

提供一种用于对反应产物附着在设置于等离子体处理装置上的部件之间的间隙的情况进行抑制的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：第一部件，设置在处理容器内；以及第二部件，设置在所述第一部件的外侧，其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使气体向所述第一部件与所述第二部件之间的间隙流动的流路。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本公开涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
例如，专利文献1提出了在等离子体处理装置中通过离子溅射将进入临近等离子体处理空间的间隙的反应产物去除。<现有技术文献><专利文献>专利文献1：(日本)特开2008-251633号公报
技术实现思路
<本专利技术要解决的问题>本公开提供一种技术，其用于对反应产物附着在设置于等离子体处理装置上的部件之间的间隙的情况进行抑制。<用于解决问题的手段>根据本公开的一个实施方式，提供一种等离子体处理装置，包括：第一部件，设置在处理容器内；以及第二部件，设置在所述第一部件的外侧，其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使气体向所述第一部件与所述第二部件之间的间隙流动的流路。<专利技术的效果>根据一个方面，能够对反应产物附着在设置于等离子体处理装置上的部件之间的间隙的情况进行抑制。附图说明图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置的一个示例的剖面示意图。图2是示出根据一个实施方式的上部电极的周边构造的一个示例的图。图3是示出当从上表面对根据一个实施方式的内侧电极板进行观察时的气体的供给路径的一个示例的图。图4是示出根据一个实施方式的等离子体处理方法的一个示例的流程图。具体实施方式以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中，针对相同的构成部分赋予相同的符号，并且有时会省略重复的说明。[等离子体处理装置]参照图1对根据一个实施方式的等离子体处理装置1进行说明。图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置1的一个示例的剖面示意图。根据一个实施方式的等离子体处理装置1是电容耦合型的平行平板处理装置，并且具有处理容器10。处理容器10例如是由表面被进行阳极氧化处理的铝制成的圆筒状的容器，并且接地。在处理容器10的底部，经由利用陶瓷等制成的绝缘板12布置有圆柱状的支撑台14，在该支撑台14上例如设置有载置台16。载置台16具有静电卡盘20和基台18，并且在静电卡盘20的上表面上放置基板W。在基板W周围，布置有例如由硅制成的环状的边缘环24。边缘环24也称为聚焦环。在基台18及支撑台14周围，设置有例如由石英制成的环状的绝缘体环26。在静电卡盘20的内部，在基板W的下方以被绝缘层20b夹着的方式埋设有由导电膜制成的第一电极20a。第一电极20a与电源22连接，并且通过从电源22向第一电极20a施加的直流电压来产生静电力，从而将基板W吸附在静电卡盘20的载置面上。需要说明的是，静电卡盘20可以具有加热器，从而对温度进行控制。在基台18的内部，例如形成有环状或螺旋状的流路28。从冷却器单元(未图示)供给的预定温度的传热介质，例如制冷剂通过配管30a、流路28、配管30b，并返回冷却器单元。由此，能够在基台18中产生散热等，以对基板W的温度进行控制。此外，将从传热气体供给机构供给的传热气体，例如He气体经由气体供给管线32向静电卡盘20的正面与基板W的背面之间供给。通过该传热气体，能够使静电卡盘20的正面与基板W的背面之间的热传递改善，从而更有效地进行基板W的温度控制。另外，在静电卡盘20具有加热器的情况下，通过加热器和通过流路28的传热介质，从而能够以良好的响应性对基板W的温度进行控制。上部电极34与载置台16相对地设置在处理容器10的顶部上。上部电极34与载置台16之间构成等离子体处理空间。上部电极34经由绝缘性的屏蔽部件42将处理容器10的顶部的开口封闭。上部电极34具有电极板36和电极支撑体38。电极板36具有内侧电极板36i和外侧电极板36o。内侧电极板36i由硅(Si)或碳化硅(SiC)等含硅物形成，并且具有在与载置台16相对的相对面上形成的多个气体流路(气体孔)37。气体流路37具有在内侧电极板36i的厚度方向上贯穿内侧电极板36i的第一气体流路37a、以及向外周侧开放且剖面被形成为L字形的第二气体流路37b。外侧电极板36o由硅或碳化硅等含硅物形成，并且布置在内侧电极板36o的外侧。内侧电极板36i是设置在处理容器10内的第一部件的一个示例。外侧电极板36o是设置在第一部件的外侧的第二部件的一个示例。内侧电极支撑体38i以拆装自如的方式对内侧电极板36i进行支撑，并由导电材料，例如表面被进行阳极氧化处理的铝形成。在内侧电极支撑体38i的内部，多个气体流通孔41a、41b从气体扩散室40a、40b向下方延伸，并与气体流路37连通。外侧电极支撑体38o以拆装自如的方式对外侧电极板36o进行支撑，并由导电材料，例如表面被进行阳极氧化处理的铝形成。在内侧电极支撑体38i与外侧电极支撑体38o之间，布置有绝缘性的屏蔽部件39。气体导入口50经由气体供给管52与处理气体供给源54连接。在气体供给管52上，从布置有处理气体供给源54的上游侧依次设置有质量流量控制器(MFC)56及开闭阀58。处理气体从处理气体供给源54被供给，其流量及开闭由质量流量控制器56及开闭阀58控制，并且经由气体供给管52通过气体扩散室40a、40b、气体流通孔41a、41b并从气体流路37呈喷淋状被排出。需要说明的是，虽然省略了图示，但是构成为能够对通过气体流通孔41a、41b并从气体流路37被排出的气体的流量(导通率：conductance)独立地进行调节。通过该结构，使得上部电极34还起到用于供给气体的喷头的功能。等离子体处理装置1具有第一高频电源61及第二高频电源64。第一高频电源61是产生第一高频电力(以下也称为“HF电力”)的电源。第一高频电力的频率是适合于生成等离子体的频率，例如可以是27MHz～100MHz的频率。第一高频电源61经由匹配器62及供电线路63连接至上部电极34。匹配器62具有用于使第一高频电源61的输出阻抗与负载侧(上部电极34侧)的阻抗匹配的电路。需要说明的是，第一高频电源61可以经由匹配器62连接至起到下部电极的功能的载置台16。第二高频电源64是产生第二高频电力(以下也称为“LF电力”)的电源。第二高频电力的频率是比第一高频电力的频率低的频率，在将第二高频电力与第一高频电力一起使用的情况下，第二高频电力用作用于将离子吸引至基板W的偏置用的高频电力。第二高频电力的频率例如可以是400kHz～13.56MHz的频率。第二高频电源64经由匹配器65及供电线路66连接至载置台16。匹配器65具有用于使第二高频电源64的输出阻抗与负载侧(基台18侧)的阻抗匹配的电路。需要说明的是，可以使用第二高频电力而不使用第一高频电力，即，仅使用单一的高频电力来生成等离子体。在此情况下，第二高频电力的频率可以是大于13.56MHz的频率，例如40MHz，等离子体处理装置1也可以不包括第一高频电源61及匹配器62。第一可变电源71与内侧电极支撑件38i连接，并且向内侧电极板36i施加直流电压。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，包括：/n第一部件，设置在处理容器内；以及/n第二部件，设置在所述第一部件的外侧，/n其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使气体向所述第一部件与所述第二部件之间的间隙流动的流路。/n

【技术特征摘要】
20191112 JP 2019-2049771.一种等离子体处理装置，包括：
第一部件，设置在处理容器内；以及
第二部件，设置在所述第一部件的外侧，
其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使气体向所述第一部件与所述第二部件之间的间隙流动的流路。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
用于使气体向所述间隙流动的所述流路等间隔地设置。


3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
用于使气体向所述间隙流动的所述流路与用于供给所述气...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田信太郎，花冈秀敏，田丸直树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP