等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体处理装置。提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及控制部，所述消耗构件具有：基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本公开涉及等离子体处理装置。
技术介绍
公知有向腔室内供给处理气体并自处理气体生成等离子体而对基板实施期望的处理的等离子体处理装置。在进行等离子体处理时，由于腔室内的构件的消耗、反应副产物的堆积，因此，稳定化之前需要时间。在专利文献1公开有以下等离子体处理装置：真空处理容器具备侧壁构件、盖构件以及电介质制板，在侧壁构件的内表面和电介质制板的靠侧壁构件侧的面的外周部形成包含钇的覆膜。专利文献1：日本特开2007-243020号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在一个方面中，本公开提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。用于解决问题的方案为了解决上述问题，根据一技术方案，提供等离子体处理装置，其具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及控制部，所述消耗构件具有：基部构件，其由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其中，/n该等离子体处理装置具备：/n载置台，其用于载置基板；/n腔室，其收纳所述载置台；/n气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；/n等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；/n消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及/n控制部，/n所述消耗构件具有：/n基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及/n盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，/n所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。/n

【技术特征摘要】
20191112 JP 2019-2049781.一种等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置具备：
载置台，其用于载置基板；
腔室，其收纳所述载置台；
气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；
等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；
消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及
控制部，
所述消耗构件具有：
基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及
盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，
所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述盖构件的材料与所述基部构件的材料相比耐等离子体性低。


3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述盖构件的材料包含与在对所述基板实施等离子体处理时的反应副产物的元素相同的元素。


4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，
所述盖构件的材料由包含碳元素和氟元素的材料形成。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅原玄德，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP