基板清洗装置和基板清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板清洗装置和基板清洗方法，在使用处理气体进行基板的处理后适当地将残留于基板的气体成分去除。基板的清洗装置具有：气化部，其构成为输出水蒸气；第一加热部，其构成为将氮气加热至第一温度；第二加热部，其构成为将氮气加热至第二温度，所述第二温度比所述第一温度高；以及至少一个清洗腔室，其与所述气化部、所述第一加热部以及所述第二加热部连接，所述清洗腔室构成为在大气压下使至少一个基板暴露在水蒸气、具有所述第一温度的氮气或具有所述第二温度的氮气中。

【技术实现步骤摘要】
基板清洗装置和基板清洗方法
本公开涉及一种基板清洗装置和基板清洗方法。
技术介绍
在专利文献1中公开了一种基板处理方法，该基板处理方法包括使用含有氟的气体对基板实施处理的第一步骤、以及将所述基板暴露在含有水分的气氛中的第二步骤。在该基板处理方法中，通过将基板暴露在含有水分的气氛中来将残留于基板的表面的氟去除。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-126734号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开所涉及的技术在使用处理气体对基板进行处理后适当地将残留于基板的气体成分去除。用于解决问题的方案本公开的一个方式是一种基板的清洗装置，具有：气化部，其构成为生成水蒸气；第一加热部，其构成为将氮气加热至第一温度；第二加热部，其构成为将氮气加热至第二温度，所述第二温度比所述第一温度高；以及至少一个清洗腔室，其与所述气化部、所述第一加热部以及所述第二加热部连接，并且所述清洗腔室构成为在大气压下将至少一个基板暴露在水蒸气、具有所述第一温度的氮气或具有所述第二温度的氮气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板清洗装置，是基板的清洗装置，具有：/n气化部，其构成为生成水蒸气；/n第一加热部，其构成为将氮气加热至第一温度；/n第二加热部，其构成为将氮气加热至第二温度，所述第二温度比所述第一温度高；以及/n至少一个清洗腔室，其与所述气化部、所述第一加热部以及所述第二加热部连接，所述清洗腔室构成为在大气压下使至少一个基板暴露在水蒸气、具有所述第一温度的氮气或具有所述第二温度的氮气中。/n

【技术特征摘要】
20191125 JP 2019-2121101.一种基板清洗装置，是基板的清洗装置，具有：
气化部，其构成为生成水蒸气；
第一加热部，其构成为将氮气加热至第一温度；
第二加热部，其构成为将氮气加热至第二温度，所述第二温度比所述第一温度高；以及
至少一个清洗腔室，其与所述气化部、所述第一加热部以及所述第二加热部连接，所述清洗腔室构成为在大气压下使至少一个基板暴露在水蒸气、具有所述第一温度的氮气或具有所述第二温度的氮气中。


2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第一温度为50℃～100℃，
所述第二温度为120℃～300℃。


3.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，还具有：
至少一个控制部，其构成为控制该基板清洗装置，以使得在将水蒸气供给至所述至少一个清洗腔室之后将具有所述第二温度的氮气供给至所述至少一个清洗腔室；以及
压力调节部，其构成为与所述第二加热部连接，用于将氮气调节为期望的压力，
所述第二加热部或所述压力调节部连接至将所述气化部与所述至少一个清洗腔室连接的水蒸气供给线路，经由所述水蒸气供给线路的一部分将具有所述第二温度和所述期望的压力的氮气供给至所述至少一个清洗腔室，来将残留于所述水蒸气供给线路的一部分和所述清洗腔室内的水蒸气去除。


4.根据权利要求3所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述压力调节部为加压罐，所述加压罐构成为以所述期望的压力贮存具有所述第二温度的氮气。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述至少一个清洗腔室具有多个清洗腔室，
所述多个清洗腔室共用所述气化部、所述第一加热部以及所述第二加热部。


6.根据权利要求5所述的基板清洗装置，其特征在于，
具有与所述多个清洗腔室连接的第一排气线路及第二排气线路。


7.根据权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第一排气线路用以在将具有所述第一温度的氮气供给至所述清洗腔室内之后排出所述清洗腔室内的气体，
所述第二排气线路用以在将水蒸气供给至所述清洗腔室内之后排出所述清洗腔室内的气体，以及在将具有所述第二温度的氮气供给至所述清洗腔室内之后排出所述清洗腔室内的气体。


8.根据权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述第一排气线路用以在将具有所述第一温度的氮气供给至所述清洗腔室内之后排出所述清...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井俊充，羽田敬子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP