释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处理装置制造方法及图纸

技术编号:28586451 阅读:36 留言:0更新日期:2021-05-25 19:26
本实用新型专利技术提供释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处理装置。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括:形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部;和形成有与第1流路连通的第2流路,并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件,改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。本实用新型专利技术能够抑制颗粒的产生。

【技术实现步骤摘要】
释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处理装置
本技术涉及处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处理装置。
技术介绍
在专利文献1中,公开了从处理液喷嘴向基片释放处理液的技术。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2019-40958号公报
技术实现思路
技术要解决的技术问题本技术提供一种抑制颗粒的产生的技术。用于解决技术问题的技术方案本技术的一个方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括:形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部;和形成有与第1流路连通的第2流路,并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件,改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。技术效果依照本技术,能够抑制颗粒的产生。附图说明图1是表示第1实施方式的基片处理装置的构成的示意图。图2是第1实施方式的处理液供给部的立体图。图3是第1实施方式的处理液供给部的俯视图。图4是图3的IV-IV剖视图。图5是第1实施方式的处理液释放喷嘴的正视图。图6是第1实施方式的处理液释放喷嘴的俯视图。图7是图6的VII-VII剖视图。图8是说明第1实施方式的释放角度改变处理的流程图。图9是第2实施方式的处理液供给部的俯视图。图10是第2实施方式的处理液释放喷嘴的俯视图。图11是图10的XI-XI剖视图。图12是从斜下方观察第2实施方式的处理液释放喷嘴而得的立体图。图13是图9的XIII-XIII剖视图。图14是第3实施方式的处理液供给部的俯视图。图15是说明第3实施方式的处理液释放喷嘴和气体释放喷嘴的配置的示意图。图16是表示第4实施方式的基片处理装置的一部分的立体图。图17是表示在第4实施方式的基片处理装置中,处理液释放喷嘴处于待机位置的状态的示意图。图18是表示在第4实施方式的基片处理装置中,处理液释放喷嘴处于释放位置的状态的示意图。图19是表示在第5实施方式的基片处理装置中,第1导通部处于非接触位置的状态的示意图。图20是表示在第5实施方式的基片处理装置中,第1导通部处于接触位置的状态的示意图。图21是表示第6实施方式的基片处理装置的一部分的立体图。图22是表示第7实施方式的基片处理装置的一部分的立体图。图23是表示变形例的臂的一部分的剖视图。附图标记说明1基片处理装置2处理容器3保持部(基片旋转部的一例)4外杯体(杯体部的一例)5臂(喷嘴臂的一例)6控制装置6b控制部10、100臂部11移动机构(转动机构的一例)12、50、70处理液供给部20、51喷嘴安装块(固定部件的一例)21、52、80处理液释放喷嘴30、53喷嘴主体部31喷嘴释放部31b释放流路31c内壁面31e内壁面32、54连接部(角度改变机构的一例)35、55、82第1主体部35a第1流路36第2主体部36a第2流路36c内壁面60位置对准部71气体释放喷嘴90、95第1导通部91、96第2导通部91b、96b变形部100a接触部101离子发生器W基片。具体实施方式以下,参照附图,详细说明本技术公开的处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法的实施方式。此外,不限于由以下所示的实施方式公开的处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。在以下参照的各附图中,为了使说明容易理解,有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向,并以Z轴正方向为铅垂向上方向的正交坐标系。X轴方向和Y轴方向是水平方向。以下,有时以Z轴正方向为上方,以Z轴负方向为下方来进行说明。(第1实施方式)<基片处理装置的整体构成>参照图1,说明第1实施方式的基片处理装置1的构成。图1是表示第1实施方式的基片处理装置1的构成的示意图。基片处理装置1包括处理容器2、保持部3、外杯体4、臂5和控制装置6。处理容器2收纳保持部3、外杯体4和臂5。处理容器2收纳后述的臂5的处理液释放喷嘴21和移动机构11。保持部3保持所载置的圆形的基片W。保持部3在进行基片处理的情况下保持基片W。例如,保持部3用真空吸盘吸附晶片W的下表面侧以进行保持。此外,保持部3(基片旋转部的一例)使所载置的基片W旋转。具体而言,保持部3以沿Z轴方向的轴为中心进行旋转,使保持的基片W旋转。另外,保持部3在Z轴方向上升降。保持部3例如在保持着基片W的状态下升降。保持部3使基片W在交接位置与处理位置之间升降。交接位置是设定在比外杯体4靠上方的位置,是在保持部3与基片输送装置(未图示)之间进行基片W的交接的位置。处理位置比交接位置靠下方,是设定在外杯体4内的位置,是对基片W进行基片处理的位置。外杯体4(杯体部的一例)被设置成包围保持部3和保持部3所保持的基片W的外侧。外杯体4被设置成环状。外杯体4承接从基片W飞散的处理液。外杯体4由耐药性高的材料形成。在外杯体4的底部设置有排液口(未图示)。由外杯体4承接的处理液从排液口被排出到处理容器2的外部。处理液例如是药液、冲洗液等。药液例如是氢氟酸(HF)、稀氢氟酸(DHF)、氟硝酸等。此外,氟硝酸是氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合液。另外,冲洗液例如是DIW(去离子水)。臂5沿X轴方向并排地配置一对。具体而言,臂5在X轴方向上配置在基片W的两侧。以下,有时将一对臂5中X轴负方向侧的臂5作为左臂5L,将X轴正方向侧的臂5作为右臂5R来进行说明。臂5包括臂部10、移动机构11和处理液供给部12。此外,臂5可以配置一个。臂部10从根端沿Z轴方向延伸,并且从上方的端沿水平方向延伸。臂部10被设置成L字状。移动机构11(转动机构的一例)使臂部10转动。具体而言,移动机构11以在Z轴方向上延伸的臂部10的轴为中心使臂部10转动。此外,移动机构11使臂部10沿X轴方向和Z轴方向移动。移动机构11可以设置多个。例如,作为移动机构11,设置使臂部10以Z轴方向的轴为中心转动的移动机构、使臂部10沿X轴方向移动的移动机构、和使臂部10沿Z轴方向移动的移动机构。处理液供给部12对基片W的上表面供给处理液。处理液供给部12对基片W的上表面的周缘释放处理液,对基片W的周缘进行蚀刻处理。处理液供给部12设置在臂部10的前端。处理液供给部12的详情在后文说明。周缘是从圆形的基片W的端面起以例如宽度1~5mm程度包含基片W的径向内侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴,其特征在于,包括:/n喷嘴主体部,其具有:形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部;和形成有与所述第1流路连通的第2流路,并相对于所述第1主体部弯曲的第2主体部;以及/n角度改变机构,其相对于固定所述喷嘴主体部的固定部件,改变水平方向上的所述喷嘴主体部的角度。/n

【技术特征摘要】
20190716 JP 2019-131192;20200528 JP 2020-0937731.一种释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴,其特征在于,包括:
喷嘴主体部,其具有:形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部;和形成有与所述第1流路连通的第2流路,并相对于所述第1主体部弯曲的第2主体部;以及
角度改变机构,其相对于固定所述喷嘴主体部的固定部件,改变水平方向上的所述喷嘴主体部的角度。


2.如权利要求1所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述角度改变机构是能够改变相对于所述固定部件的安装位置的连接部。


3.如权利要求1所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述角度改变机构是以所述第1主体部可转动地方式支承所述第1主体部的连接部。


4.如权利要求3所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述喷嘴主体部和所述连接部包括使所述角度位置对准的位置对准部。


5.如权利要求1所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
包括喷嘴释放部,其形成有与所述第2流路连通的释放流路,并能够将处理液释放到基片,
所述喷嘴释放部相对于所述第2主体部的前端可拆装。


6.如权利要求5所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述释放流路的直径比所述第2流路的直径小。


7.如权利要求5所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述喷嘴释放部的内壁面与所述第1流路和所述第2流路的内壁面相比亲水性高。


8.一种喷嘴臂,其特征在于,包括:
权利要求1~7中任一项所述的处理液释放喷嘴;
所述固定部件;
能够安装所述固定部件的臂部;和
使所述固定部件或者所述臂部在水平方向上转动的转动机构。


9.如权利要求8所述的喷嘴臂,其特征在于:
所述转动机构能够使所述固定部件相对于所述臂部转动。


10.如权利要求8所述的喷嘴臂,其特征在于:
包括释放气体的气体释放喷嘴,所述气体将碰撞到基片而飞散到所述基片的上方的处理液排出到比所述基片靠外侧处。


11.如权利要求10所述的喷嘴臂,其特征在于:
所述气体释放喷嘴配置在比所述处理液释放喷嘴靠内侧处。


12.如权利要求10所述的喷嘴臂,其特征在于:
所述气体释放喷嘴以水平方向上比所述处理液相对于基片切线的释放角度大的释放角度,释放所述气体。


13.一种基片处理装置,其特征在于,包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:天野嘉文相浦一博植木达博
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:新型
国别省市:日本;JP

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