本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供能够使成批地处理的多片基板的间距变窄且能够抑制基板与输送机器人之间的干涉的技术。基板处理系统具有：批量处理部，其成批地处理以第1间距包含多片基板的批次；单片处理部，其逐片处理批次的基板；以及接口...

本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波...

本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：处理容器；以及多个气体喷嘴，其从构成上述处理容器的顶壁和/或侧壁伸出，具有对上述处理容器内供给气体的气体供给孔，多个上述气体喷嘴具有扩径部，该扩径部在多个上述气体喷嘴的气体供给孔的前端从上述气体供...

提供一种基板支承体，其包括：基台；静电吸盘，用于放置基板；电极，设置于所述静电吸盘；所述电极的接点部；粘接层，在所述基台上将所述静电吸盘与所述基台粘接，并且不覆盖所述接点部；以及供电端子，以不被固定于所述电极的接点部的方式与所述电极的接...

一种对处理对象体进行处理的处理系统，该处理系统具有：改性装置，其在所述处理对象体的内部沿面方向形成内部面改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点分离所述处理对象体，所述改性装置具有：激光照射部，其向所述处理对象体的内部照射多个激...

提供了用于加工衬底的方法。该方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括在该前侧表面的第一环形区域中形成第一材料，从而使该第一环形涂覆有该第一材料。第一环形区域紧邻衬底的周边。该第一环形区域具有靠近该衬底的周边...

本发明提供提高接触精度的检查装置的控制方法和检查装置。该检查装置的控制方法中，该检查装置包括：具有多层检查室排的检查部，其中上述检查室排排列有多个收纳对基片进行检查的测试器的检查室；使基片接触到上述测试器的多个对准器，其在上述检查室排至...

本发明涉及蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质。一种技术，其可以充分去除使用包含CF系气体的气体的等离子体蚀刻后的图案中生成的损伤层。一种蚀刻方法，其具备：准备具有在含硅部分上形成的蚀刻对象部的基板的工序；利用包含CF系气体的处理气体的...

本发明提供一种清洁条件的决定方法和等离子体处理装置，能够适宜地对腔室内进行清洁。清洁条件的决定方法执行以下步骤：在腔室内以基板处理条件来处理基板；基于多个不同的清洁条件执行所述腔室内的清洁，来获取发光强度数据；基于所述发光强度数据来评价...

本发明提供能够抑制清洁导致的过蚀刻和膜残留的控制装置、处理装置和控制方法。本发明的一个方式的控制装置控制在处理容器内收纳基片并对其进行处理的处理装置的动作，其包括：获取上述处理容器内的温度的温度获取部；存储部，其存储表示上述处理容器内的...

本发明提供能够更简易地测量半导体制造装置的泄漏的泄漏测量系统、半导体制造系统和泄漏测量方法。本发明的一个方式的泄漏测量系统是测量半导体制造装置的泄漏的泄漏测量系统，其包括：与上述半导体制造装置接触或连接的振动传感器；基于上述振动传感器检...

本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供一种能够以较高的精度调整膜厚的面内分布的技术。本公开的一方式的成膜装置包括：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，具有能够在上表面沿着周向载置基板的基板载置区域；原料气体供给部，其设于所述旋转台的上方，沿...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。基板处理方法包括以下工序：从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的...

本发明提供基板支承台和等离子体处理装置。提供用于响应性良好地控制载置于基板支承台的基板的温度的技术。在一个例示性的实施方式中提供一种基板支承台。基板支承台包括第1构件、第2构件、基板支承部以及一个以上的热电元件。第1构件在上部具有凹部，...

本实用新型提供一种基板处理装置。针对从喷嘴单元喷出的处理液具有充分的耐蚀性，且可靠地防止所喷出的处理液的带电。基板处理装置具有喷嘴单元。喷嘴单元具备配管和设置到配管的顶端的喷头，配管具有第1层、第2层以及第3层。喷头由具有导电性的耐蚀性...

提供了一种半导体器件。该器件包括堆叠在衬底上方的多个晶体管对。该多个晶体管对中的每一对包括堆叠在彼此上方的n型晶体管和p型晶体管。该器件还包括以阶梯状构型堆叠在该衬底上方的多个栅极电极。该多个栅极电极电耦合到该多个晶体管对的栅极结构。该...

本发明例示性的实施方式的温度调节系统的热交换部进行利用致冷剂的热交换，设置于载置被处理体的载置台内，具有多个热交换室，多个热交换室的每个热交换室分别配置在设定于载置台的多个区域的每个区域，多个区域沿载置台的载置面设定，冷却装置使致冷剂在...

本发明的例示性的实施方式的温度调节方法包括：第1步骤，其调节载置被处理体的载置台的温度，载置台被划分为多个区域，具有多个温度检测器，多个区域沿载置台的载置面设定，多个温度检测器的每个温度检测器分别配置在多个区域的每个区域，载置台具有进行...

本发明提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对...

一种基板处理系统，该基板处理系统包括：第1主表面磨削装置，其以使基板的第1主表面朝上的方式自下方保持所述基板，并且磨削所述基板的所述第1主表面；第1反转装置，其使利用所述第1主表面磨削装置磨削后的所述基板上下反转；以及第2主表面磨削装置...