基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基板处理装置。针对从喷嘴单元喷出的处理液具有充分的耐蚀性，且可靠地防止所喷出的处理液的带电。基板处理装置具有喷嘴单元。喷嘴单元具备配管和设置到配管的顶端的喷头，配管具有第1层、第2层以及第3层。喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成。第3层从外方覆盖第1层和第2层，并且从外方覆盖喷头的一部分。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本公开涉及一种基板处理装置及其制造方法。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，以在基板上形成的抗蚀剂为掩模而进行蚀刻、离子注入等处理。之后，从基板上去除不要的抗蚀剂。作为抗蚀剂的去除方法，公知有通过向基板供给作为硫酸和过氧化氢水的混合液的SPM(SulfuricacidHydrogenPeroxideMixture)等处理液而去除抗蚀剂的SPM处理。为了提高抗蚀剂的去除能力而以加热成高温的状态从喷嘴单元向基板供给SPM(参照例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-207080号公报
技术实现思路
技术要解决的问题不过，在以往以来使用了处理液的基板处理中，处理液带电，在将带电的处理液向基板上供给之际，有时由于处理液与基板之间的电位差而产生放电。考虑到若如此在处理液与基板之间产生放电，则基板上的膜、电路图案会被破坏。本公开是考虑这样的点而做成的，提供一种针对从喷嘴单元喷出的处理液具有充分的耐蚀性、且能够可靠地防止所喷出的处理液的带电的基板处理装置及其制造方法。用于解决问题的方案本公开是一种基板处理装置，其具有：基板保持机构，其保持被处理基板；和喷嘴单元，其向保持到所述基板保持机构的所述被处理基板喷出处理液，在该基板处理装置中，所述喷嘴单元具备：配管，其供给所述处理液；和喷头，其设置于所述配管的顶端，朝向所述被处理基板喷出处理液，所述配管具有从内侧依次配置的、由耐蚀性树脂形成的第1层、由刚性材料形成的第2层、以及由耐蚀性树脂形成的第3层，所述喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成，所述第3层从外方覆盖所述第1层和所述第2层，并且从外方覆盖所述喷头的一部分。对于上述基板处理装置，也可以是，所述喷头嵌入所述配管内。对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1层具有导电性，所述第1层和所述喷头接合，或者，所述第2层具有导电性，所述第2层和所述喷头接合。对于上述基板处理装置，也可以是，在所述喷头连接有导线。对于上述基板处理装置，也可以是，所述喷头熔接于所述第1层和所述第3层。对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1层由具有导电性的PFA管构成。对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2层由SUS管构成。对于上述基板处理装置，也可以是，所述第3层由PFA管构成。对于上述基板处理装置，也可以是，所述喷头由具有导电性的PFA制材料形成。对于上述基板处理装置，也可以是，所述喷头具有所述配管的所述第1层的延长部分和从外方覆盖该延长部分的覆盖部分。本公开是一种基板处理装置的制造方法，该基板处理装置具有：基板保持机构，其保持被处理基板；和喷嘴单元，其向保持到所述基板保持机构的所述被处理基板喷出处理液，该基板处理装置的制造方法具备如下工序：准备配管的工序，该配管具有从内侧依次配置的、由耐蚀性树脂形成的第1层、由刚性材料形成的第2层、以及由耐蚀性树脂形成的第3层，该配管供给所述处理液；准备喷头的工序，该喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成，朝向所述被处理基板喷出所述处理液；以及将所述喷头嵌入所述配管的顶端的工序，所述第3层从外方覆盖所述第1层和所述第2层，并且从外方覆盖所述喷头的一部分。技术的效果根据本公开，喷嘴单元针对所喷出的处理液具有充分的耐蚀性，且能够可靠地防止从喷嘴单元喷出的处理液的带电。附图说明图1是表示实施方式的基板处理系统的概略结构的图。图2是表示处理单元(基板处理装置)的结构的俯视示意图。图3A是表示本公开的实施方式的喷嘴单元的侧剖视图、且是沿着图2的A-A’线的图。图3B是表示除电作用的放大图。图3C是表示除电作用的放大图。图3D是表示导线的剖视图。图4是表示喷嘴单元的顶端部分的放大图。图5A是表示第1层的一个例子的剖视图。图5B是表示喷头的一个例子的剖视图。图6是表示本公开的变形例的喷嘴单元的侧剖视图。具体实施方式＜本公开的实施方式＞以下，参照附图而详细地说明本申请所公开的基板处理装置的实施方式。此外，本技术并不被以下所示的实施方式限定。另外，以下，列举处理液是作为硫酸和过氧化氢水的混合液的SPM(SulfuricAcidHydrogenPeroxideMixture)的情况为例而进行说明。图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。如图1所示，基板处理系统1具备送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻地设置。送入送出站2具备载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置有多个载体C，该多个载体C将多张被处理基板，例如半导体晶圆(以下称为晶圆W)以水平状态收容。输送部12与载体载置部11相邻地设置，在内部设置有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够进行水平方向上和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，使用晶圆保持机构而在载体C与交接部14之间进行晶圆W的输送。处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元(本公开的基板处理装置)16。多个处理单元16排列设置于输送部15的两侧。输送部15在内部设置有基板输送装置17。基板输送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够进行水平方向上和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，使用晶圆保持机构而在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。处理单元16对由基板输送装置17输送的晶圆W进行预定的基板处理。另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4包括例如计算机，并具备控制部18和存储部19。在存储部19储存有控制要在基板处理系统1执行的各种处理的程序。控制部18通过读出并执行被存储到存储部19的程序而控制基板处理系统1的动作。此外，该程序是记录到能够由计算机读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质加载到控制装置4的存储部19的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，送入送出站2的基板输送装置13从载置到载体载置部11的载体C取出晶圆W，将取出来的晶圆W载置于交接部14。载置到交接部14的晶圆W被处理站3的基板输送装置17从交接部14取出而向处理单元16送入。送入到处理单元16的晶圆W在被处理单元16处理了之后，被基板输送装置17从处理单元16送出而载置于交接部14。然后，载置到交接部14的处理完毕的晶圆W利用基板输送装置13返回载体载置部11的载体C。接着，参照图2而对处理单元(本公开的基板处理装置)16的概略结构进行说明。图2是表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其具有：基板保持机构，其保持被处理基板；和喷嘴单元，其向保持到所述基板保持机构的所述被处理基板喷出处理液，其特征在于，/n所述喷嘴单元具备：配管，其供给所述处理液；和喷头，其设置于所述配管的顶端，朝向所述被处理基板喷出所述处理液，/n所述配管具有从内侧依次配置的、由耐蚀性树脂形成的第1层、由刚性材料形成的第2层、以及由耐蚀性树脂形成的第3层，/n所述喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成，/n所述第3层从外方覆盖所述第1层和所述第2层，并且从外方覆盖所述喷头的一部分。/n

【技术特征摘要】
20190809 JP 2019-1479491.一种基板处理装置，其具有：基板保持机构，其保持被处理基板；和喷嘴单元，其向保持到所述基板保持机构的所述被处理基板喷出处理液，其特征在于，
所述喷嘴单元具备：配管，其供给所述处理液；和喷头，其设置于所述配管的顶端，朝向所述被处理基板喷出所述处理液，
所述配管具有从内侧依次配置的、由耐蚀性树脂形成的第1层、由刚性材料形成的第2层、以及由耐蚀性树脂形成的第3层，
所述喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成，
所述第3层从外方覆盖所述第1层和所述第2层，并且从外方覆盖所述喷头的一部分。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷头嵌入所述配管内。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1层具有导电性，所述第1层和所述喷头接合，或者，所述第2层具有导电性，所述第2层和所述喷头接合。

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本佑介，东岛治郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP