用于半导体制造设备的防泵返流结构制造技术

本发明专利技术涉及一种用于半导体制造设备的防泵返流结构，包括检测传感器、隔离空气供给配管以及控制部件，相比于通过半导体制造设备的设备控制部形成的隔离阀的阻断方式，可以相对减少从泵实际发生非正常运转的瞬间到隔离阀的阻断瞬间为止的时间延迟，具有能够杜绝产生抽吸配管内部的微粒在所述隔离阀进行阻断之前向工序腔室流入的返流现象的优点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体制造设备的防泵返流结构
本专利技术涉及一种用于半导体制造设备的防泵返流结构。
技术介绍
半导体制造设备具有用于进行制造半导体的各工序的工序腔室，在这样的工序腔室中进行的工序中，有许多工序需要所述工序腔室内部处于真空状态。为了在这样的工序腔室内形成真空，在从所述工序腔室延伸的抽吸配管上设置有涡轮泵、干泵以及隔离阀。所述涡轮泵通过所述抽吸配管抽吸所述工序腔室内部的气体，来使所述工序腔室的内部得以保持高真空度，所述干泵可以助力所述涡轮泵的真空抽吸，所述隔离阀设置于所述涡轮泵与所述干泵之间的所述抽吸配管上，可以根据需要来阻断所述涡轮泵与干泵之间的抽吸配管。当所述干泵、所述涡轮泵等泵正常运转时，所述隔离阀处于开放状态，当所述干泵、所述涡轮泵等泵的运转不正常时，会产生沿着所述抽吸配管流出的微粒逆流到所述工序腔室内部的返流(backstream)现象，当产生这样的返流现象时，所述工序腔室内部以及作为收容于所述工序腔室内部的加工对象的晶圆会因微粒而受到污染，因此需要用于防止这种返流现象的结构。现有的在工序腔室用于防止返流的结构有韩国公开专利第10-2003-0009790号(公开日期：2003年02月05日，专利技术名称：半导体制造装置的防微粒返流装置)等。但是，在包括所述专利文献在内的现有的在工序腔室中用于防止返流的结构中，在所述干泵、所述涡轮泵等泵非正常运转的情况下，若因这些泵关闭而产生泵的非正常运转信号，则在向所述半导体制造设备的设备控制部传递所述泵的非正常运转信号后，再从所述控制部发出阻断所述隔离阀的信号，根据这种结构，从泵实际发生非正常运转的瞬间到所述隔离阀的阻断瞬间为止一定会发生时间延迟(timedelay)，因此必定会产生所述抽吸配管内部的微粒在所述隔离阀进行阻断之前向所述工序腔室流入的返流现象。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种用于半导体制造设备的防泵返流结构，根据本专利技术，相比于通过半导体制造设备的设备控制部形成的隔离阀的阻断方式，可以相对减少从泵实际发生非正常运转的瞬间到隔离阀的阻断瞬间为止的时间延迟(timedelay)，从而能够杜绝产生抽吸配管内部的微粒在所述隔离阀进行阻断之前向工序腔室流入的返流现象。本专利技术一实施方式的用于半导体制造设备的防泵返流结构适用于半导体制造设备，所述半导体制造设备包括：工序腔室，用于执行制造半导体的工序；抽吸配管，为了在所述工序腔室内形成真空而在所述工序腔室延伸；涡轮泵(turbopump)，配置于所述抽吸配管上，以维持所述工序腔室内部的高真空状态的方式进行抽吸；干泵(drypump)，在所述抽吸配管上配置于和所述涡轮泵相对隔开的位置，能够助力所述涡轮泵的真空抽吸；以及隔离阀(isolationvalve)，在所述抽吸配管上配置于所述涡轮泵与所述干泵之间，能够在所述抽吸配管上阻断所述涡轮泵与干泵之间的部分，所述用于半导体制造设备的防泵返流结构包括：检测传感器，用于实时检测所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子(rotor)的转数中的至少一个；隔离空气供给配管，从外部向所述隔离阀供给空气，来使所述隔离阀保持开放抽吸配管的状态；以及控制部件，根据所述检测传感器检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个，来通过使得通过所述隔离空气供给配管流动的所述空气向所述隔离阀流动或阻断通过所述隔离空气供给配管流动的所述空气向所述隔离阀流动，从而使所述隔离阀开放或阻断所述抽吸配管。专利技术效果根据本专利技术一实施方式的用于半导体制造设备的防泵返流结构，通过使所述用于半导体制造设备的防泵返流结构包括检测传感器、隔离空气供给配管以及控制部件，来达到相比于通过半导体制造设备的设备控制部形成的隔离阀的阻断方式，可以相对减少从泵实际发生非正常运转的瞬间到隔离阀的阻断瞬间为止的时间延迟，具有能够杜绝产生抽吸配管内部的微粒在所述隔离阀进行阻断之前向工序腔室流入的返流现象的效果。附图说明图1为示出将本专利技术第一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图。图2为对现有的用于半导体晶圆制造的干泵产生逆流而污染晶圆的状态进行拍摄后打印的图片。图3为对通过本专利技术第一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构来防止逆流而使晶圆的污染最小化的状态进行拍摄后打印的图片。图4为示出将本专利技术第二实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图。图5为示出本专利技术第二实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构的运行条件的曲线图。图6为示出将本专利技术第三实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图。具体实施方式以下，参照附图来对本专利技术实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构进行说明。图1为示出将本专利技术第一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图，图2为对现有的用于半导体晶圆制造的干泵产生逆流而污染晶圆的状态进行拍摄后打印的图片，图3为对通过本专利技术第一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构来防止逆流而使晶圆的污染最小化的状态进行拍摄后打印的图片。参照图1至图3，本实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构100适用于半导体制造设备，包括检测传感器120、隔离空气供给配管130以及控制部件110。所述半导体制造设备包括：工序腔室20，用于执行制造半导体的工序；抽吸配管40，为了在所述工序腔室20内形成真空而在所述工序腔室20延伸；涡轮泵(turbopump)30，配置于所述抽吸配管40上，以维持所述工序腔室20内部的高真空状态的方式进行抽吸；干泵(drypump)10，在所述抽吸配管40上配置于和所述涡轮泵30相对隔开的位置，能够助力所述涡轮泵30的真空抽吸；以及隔离阀(isolationvalve)50，在所述抽吸配管上配置于所述涡轮泵30与所述干泵10之间，能够在所述抽吸配管40上阻断所述涡轮泵30与干泵10之间的部分。这样的所述半导体制造设备的结构为通常的结构，在此省略对其的图示及说明。所述检测传感器120实时检测所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子(rotor)的转数中的至少一个。所述检测传感器120检测电流的方式可有将如下方式包括在内的多种方式，即，使用甜甜圈模样的磁芯来在磁芯上缠绕一次线圈以及二次线圈并由此测定二次电流来检测一次电流的变流器方式，或者在电流产生的磁场中设置霍尔器件并通过测定霍尔电压来检测磁场强度，即检测电流强弱的霍尔器件方式等。并且，所述检测传感器120检测电压的方式可以为对与所述干泵10相连接的后述的供电电缆11和接地(ground)的电压进行实时监测的方式。当所述检测传感器120检测构成所述干泵10的转子的转数时，可以通过采用霍尔传感器等来直接检测所述转子的转数的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体制造设备的防泵返流结构，其中，所述半导体制造设备包括：工序腔室，用于执行制造半导体的工序；抽吸配管，为了在所述工序腔室内形成真空而在所述工序腔室延伸；涡轮泵，配置于所述抽吸配管上，以维持所述工序腔室内部的高真空状态的方式进行抽吸；干泵，在所述抽吸配管上配置于和所述涡轮泵相对隔开的位置，能够助力所述涡轮泵的真空抽吸；以及隔离阀，在所述抽吸配管上配置于所述涡轮泵与所述干泵之间，能够在所述抽吸配管上阻断所述涡轮泵与干泵之间的部分，/n所述用于半导体制造设备的防泵返流结构，包括：/n检测传感器，用于实时检测所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个；/n隔离空气供给配管，从外部向所述隔离阀供给空气，来使所述隔离阀保持开放所述抽吸配管的状态；以及/n控制部件，根据所述检测传感器检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个，来通过使得通过所述隔离空气供给配管流动的所述空气向所述隔离阀流动或阻断通过所述隔离空气供给配管流动的所述空气向所述隔离阀流动，从而使所述隔离阀开放或阻断所述抽吸配管。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190705 KR 10-2019-00815421.一种用于半导体制造设备的防泵返流结构，其中，所述半导体制造设备包括：工序腔室，用于执行制造半导体的工序；抽吸配管，为了在所述工序腔室内形成真空而在所述工序腔室延伸；涡轮泵，配置于所述抽吸配管上，以维持所述工序腔室内部的高真空状态的方式进行抽吸；干泵，在所述抽吸配管上配置于和所述涡轮泵相对隔开的位置，能够助力所述涡轮泵的真空抽吸；以及隔离阀，在所述抽吸配管上配置于所述涡轮泵与所述干泵之间，能够在所述抽吸配管上阻断所述涡轮泵与干泵之间的部分，
所述用于半导体制造设备的防泵返流结构，包括：
检测传感器，用于实时检测所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个；
隔离空气供给配管，从外部向所述隔离阀供给空气，来使所述隔离阀保持开放所述抽吸配管的状态；以及
控制部件，根据所述检测传感器检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个，来通过使得通过所述隔离空气供给配管流动的所述空气向所述隔离阀流动或阻断通过所述隔离空气供给配管流动的所述空气向所述隔离阀流动，从而使所述隔离阀开放或阻断所述抽吸配管。


2.根据权利要求1所述的用于半导体制造设备的防泵返流结构，其特征在于，所述检测传感器配置于为了向所述干泵供电而从外部电源延伸并与所述干泵相连接的供电电缆上，来实时检测所述干泵运转所需的感应电流值和所述干泵运转所需的感应电压值中的至少一个。


3.根据权利要求2所述的用于半导体制造设备的防泵返流结构，其特征在于，若断开向所述干泵的供电，则所述控制部件从所述检测传感器实时接收向所述干泵的供电断开信号，来实时阻断通过所述隔离空气供给配管向所述隔离阀供给的所述空气，在所述干泵停止时立刻使所述隔离阀阻断所述抽吸配管。


4.根据权利要求1所述的用于半导体制造设备的防泵返流结构，其特征在于，若最初与干泵相连接，则所述控制部件对由所述检测传感器检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个与将多种款式形态的干泵的特征值存储在内的预先设定的表值进行比较，来区分所述干泵的款式，通过自动识别所述干泵的款式来预先自动掌握使所述干泵停止运转的条件值。


5.根据权利要求4所述的用于半导体制造设备的防泵返流结构，其特征在于，若判断为所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰和，
申请(专利权)人：金泰和，
类型：发明
国别省市：韩国;KR