【技术实现步骤摘要】
检查装置的控制方法和检查装置
本专利技术涉及检查装置的控制方法和检查装置。
技术介绍
已知一种检查装置,其通过在载置装置载置形成有半导体器件的晶片,从测试器经由探针等对半导体器件供给电流,由此检查半导体器件的电特性。在专利文献1中,公开了具有多层检查室的检查系统。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2019-029627号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在一个方面,本专利技术提供提高接触精度的检查装置的控制方法和检查装置。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述技术问题,依照一个方式,提供一种检查装置的控制方法,其中该检查装置包括:具有多层检查室排的检查部,其中上述检查室排排列有多个收纳对基片进行检查的测试器的检查室;使基片接触到上述测试器的多个对准器,其在上述检查室排至少设置一个;和控制上述对准器的控制部,上述控制部在一个上述对准器进行对准时限制其它上述对准器的动作。专利技术效果依照一个方面,能够提供提高接触精度的检查 ...
【技术保护点】
1.一种检查装置的控制方法,其特征在于,包括:/n所述检查装置包括:/n具有多层检查室排的检查部,其中所述检查室排排列有多个收纳对基片进行检查的测试器的检查室;/n使基片接触到所述测试器的多个对准器,其在所述检查室排至少设置一个;和/n控制所述对准器的控制部,/n在一个所述对准器进行对准时,所述控制部限制其它所述对准器的动作。/n
【技术特征摘要】
20190924 JP 2019-1734431.一种检查装置的控制方法,其特征在于,包括:
所述检查装置包括:
具有多层检查室排的检查部,其中所述检查室排排列有多个收纳对基片进行检查的测试器的检查室;
使基片接触到所述测试器的多个对准器,其在所述检查室排至少设置一个;和
控制所述对准器的控制部,
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部限制其它所述对准器的动作。
2.如权利要求1所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部使其它所述对准器静止。
3.如权利要求1所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
由所述对准器进行的对准具有粗校正模式和精校正模式,
在一个所述对准器在所述精校正模式下进行对准时,所述控制部使其它所述对准器静止。
4.如权利要求1所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
所述对准器具有起始位置,
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部使其它所述对准器在所述起始位置静止。
5.如权利要求1所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部限制其它所述对准器的加减速度。
6.如权利要求5所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部限制其它所述对准器在所述检查室之间移动。
7.一种检查装置的控制方法,其特征在于,包括:
具有多层检查室排的检查部,其中所述检查室排排列有多个收纳对基片进行检查的测试器的检查室;
使基片接触到所述测试器的多个对准器,其在所述检查室排至少设置一个;和
...
【专利技术属性】
技术研发人员:远藤朋也,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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