【技术实现步骤摘要】
基板支承台和等离子体处理装置
本公开的例示性的实施方式涉及基板支承台和等离子体处理装置。
技术介绍
专利文献1公开一种能够进行广泛的温度范围内的温度调整的载置台所涉及的技术。载置台具有烧结形成的中空的陶瓷的壳体、发热体或者热交换元件(珀耳帖元件)、内置于壳体的冷却板以及载置部。发热体或者热交换元件内置于壳体,该壳体提供能够进行广泛的温度范围内的温度调整的载置台。载置部形成于壳体上,在载置面载置基板。发热体或者热交换元件与冷却板压缩接合。专利文献2公开一种被进行了温度控制的半导体的基板支架所涉及的技术。基板支架具有多个热电组件、温度传感器、供电接口、控制器。热电组件与包括利用射频进行了偏置的电极的基板支架面热传递接触。温度传感器获取基板的中心部和端部区域的温度信息。供电接口与多个热电组件连接,在基板的中心部和端部区域控制基板支架面的温度。控制器基于利用温度传感器获取的温度信息,控制利用电流供给接口相对于基板的中心部和端部区域的多个热电组件供给的电流。专利文献1:日本特开2016-082077号公报专利文 ...
【技术保护点】
1.一种基板支承台,其中,/n该基板支承台包括:/n第1构件,其在上部具有凹部,并为金属制;/n第2构件,其设于所述第1构件上,用于密封所述凹部,并为金属制;/n基板支承部,其设于所述第2构件上;以及/n一个以上的热电元件,其配置于所述凹部,/n所述凹部由传热介质填满。/n
【技术特征摘要】
20191004 JP 2019-1838711.一种基板支承台,其中,
该基板支承台包括:
第1构件,其在上部具有凹部,并为金属制;
第2构件,其设于所述第1构件上,用于密封所述凹部,并为金属制;
基板支承部,其设于所述第2构件上;以及
一个以上的热电元件,其配置于所述凹部,
所述凹部由传热介质填满。
2.根据权利要求1所述的基板支承台,其中,
一个以上的所述热电元件沿着所述基板支承部分散配置,
一个以上的所述热电元件在所述基板支承部的周向上以均匀的间隔配置。
3.根据权利要求1或2所述的基板支承台,其中,
一个以上的所述热电元件在所述基板支承部的比其中心靠周缘侧的位置密集地配置。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板支承台,其中,
所述第1构件还包括供调温介质流通的流路,
所述流路以能够切换第1冷机和第2冷机的方式连接于所述第1冷机和所述第2冷机,
自所述第1冷机供给的调温介质与自所述第2冷机供给的调温介质彼此温度不同。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的基板支承台,其中,
该基板支承台还包括加热器电极。
6.根据权利要求5所述的基板支承台,...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙亮,高桥智之,佐佐木真也,佐佐木胜,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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