处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。率的供给成为关断给定时间的状态。率的供给成为关断给定时间的状态。

【技术实现步骤摘要】
处理方法和等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及处理方法和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开了关于使用微波的等离子体清洁的技术。在等离子体清洁中，通过等离子体中的自由基的化学作用和离子的物理作用实施清洁处理。
[0003]存在在电磁波的辐射口的附近电磁波能量集中，等离子体电子温度变高的倾向。由于等离子体电子温度上升，在电磁波的辐射口的附近发生因离子的撞击导致的损伤。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2017-157627号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本发提供一种能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度的处理方法和等离子体处理装置。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]依照本专利技术的一个方式，提供一种在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
[0011]专利技术效果
[0012]依照一个方面，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。
附图说明
[0013]图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一例的截面示意图。
[0014]图2是表示图1所示的控制部的结构的说明图。
[0015]图3是表示图1所示的微波导入组件的结构的说明图。
[0016]图4是表示图3所示的微波导入机构的截面图。
[0017]图5是表示图4所示的微波导入机构的天线部的立体图。
[0018]图6是表示图4所示的微波导入机构的平面天线的平面图。
[0019]图7是图1所示的处理容器的顶壁的底面图。
[0020]图8是表示一实施方式的清洁处理中的脉冲等离子体的T
e
和N
e
的评价结果的一例的图。
[0021]图9是表示一实施方式的从多个微波导入组件输出的微波的功率的接通和关断的一例的图。
[0022]图10是表示一实施方式的与从多个微波导入组件输出的微波的功率同步的组的一例的图。
[0023]图11是表示一实施方式的来自多个微波导入组件的功率的接通和关断的一例的图。
[0024]图12是表示一实施方式的来自多个微波导入组件的功率的接通和关断的另一例的图。
[0025]图13是表示一实施方式的处理方法的一例的流程图。
[0026]图14是表示一实施方式的使用多个微波导入组件的清洁处理方法的一例的流程图。
[0027]附图标记说明
[0028]1……
等离子体处理装置
[0029]2……
处理容器
[0030]3……
气体供给机构
[0031]4……
排气装置
[0032]5……
微波导入组件
[0033]8……
控制部
[0034]11
……
顶壁
[0035]16、17
……
气体导入管
[0036]16a、17a
……
气体供给孔
[0037]21
……
载置台
[0038]W
……
基片。
具体实施方式
[0039]以下，参照附图，对用于实施本专利技术的方式进行说明。在各附图中，对相同结构部分标注相同附图标记，有时省略重复的说明。
[0040][等离子体处理装置][0041]首先，参照图1和图2，说明一个实施方式的等离子体处理装置1的概要结构。图1是表示一实施方式的等离子体处理装置1的一例的截面示意图。图2是表示图1所示的控制部8的结构的一例的说明图。本实施方式的等离子体处理装置1是伴随连续的多个动作，对以例如半导体器件制造用的半导体晶片为一个例子的基片W，实施成膜处理、扩散处理、蚀刻处理、灰化处理等规定的处理的装置。
[0042]等离子体处理装置1包括处理容器2、载置台21、气体供给机构3、排气装置4、微波导入组件5和控制部8。处理容器2收纳作为被处理体的基片W，在内部使用等离子体处理基片W。载置台21配置在处理容器2的内部，具有载置基片W的载置面21a。气体供给机构3对处理容器2内供给气体。排气装置4对处理容器2内进行减压排气。微波导入组件5对处理容器2内导入用于生成等离子体的微波。控制部8控制等离子体处理装置1的各部。
[0043]处理容器2例如具有大致圆筒形状。处理容器2例如由铝及其合金等的金属材料形成。微波导入组件5设置在处理容器2的上部，对处理容器2内导入电磁波(本实施方式中为微波)，作为生成等离子体的等离子体生成机构发挥作用。
[0044]处理容器2具有板状的顶壁11、底壁13以及将顶壁11和底壁13连结的侧壁12。顶壁11具有多个开口部。侧壁12具有送入送出口12a。该送入送出口12a用于在处理容器2与跟处理容器2相邻的未图示的输送室之间进行基片W的送入送出。在处理容器2与未图示的输送室之间配置有闸阀(gate valve)G。闸阀G具有开闭送入送出口12a的功能。闸阀G在关闭状态下将处理容器2气密地密封，并且在打开状态下能够在处理容器2与未图示的输送室之间进行基片W的移送。
[0045]底壁13具有多个(图1中为2个)的排气口13a。等离子体处理装置1还具有将排气口13a与排气装置4连接的排气管14。排气装置4包括APC阀和能够将处理容器2的内部空间高速地减压至规定的真空度的高速真空泵。作为这样的高速真空泵，例如有涡轮分子泵等。通过使排气装置4的高速真空泵功能，处理容器2的内部空间被减压至规定的真空度，例如0.133Pa。
[0046]等离子体处理装置1还包括在处理容器2内支承载置台21的支承部件22以及设置于支承部件22与底壁13之间的绝缘部件23。载置台21是用于将基片W水平地载置的部件。支承部件22具有从底壁13的中央向处理容器2的内部空间延伸的圆筒状的形状。载置台21和支承部件22例如由表面实施了耐酸铝处理(阳极氧化处理)的铝形成。
[0047]等离子体处理装置1还包括对载置台21供给高频电功率的高频偏置电源25以及设置于载置台21与高频偏置电源25之间的匹配器24。高频偏置电源25对载置台21供给高频电功率，以将离子吸引到基片W。匹配器24具有用于使高频偏置电源25的输出阻抗与载侧(载置台21侧)的阻抗相匹配的电路。
[0048]等离子体处理装置1还可以包括对载置台21进行加热或者冷却的未图示的温度控制机构。温度控制机构例如将基片W的温度控制在25℃(室温)～900℃的范围内。
[0049]等离子体处理装置1还具有多个气体导入管16和多个气体导入管1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其特征在于，包括：将气体供给到所述处理容器内的步骤；和对所述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，所述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个所述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述间歇地供给微波的功率的步骤，将从多个所述微波导入组件输出的微波的功率的至少任一者的接通和关断的时机错开。3.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：所述间歇地供给微波的功率的步骤，在所述给定时间以外的时间，随机地设定从多个所述微波导入组件输出的微波的功率的接通和关断的时机。4.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：所述间歇地供给微波的功率的步骤，使从多个所述微...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田太郎，上田博一，镰田英纪，芦田光利，军司勋男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：