通过使用自组装单层涂层抵御金属污染的方法和系统技术方案

提供了用于加工衬底的方法。该方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括在该前侧表面的第一环形区域中形成第一材料，从而使该第一环形涂覆有该第一材料。第一环形区域紧邻衬底的周边。该第一环形区域具有靠近该衬底的周边的第一外周边和远离该衬底的周边的第一内周边。该方法还包括在该前侧表面的内部区域中形成第二材料，该第二材料在不粘附至环形区域的情况下涂覆该前侧表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过使用自组装单层涂层抵御金属污染的方法和系统相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月4日提交的美国临时申请号62/726,605的优先权权益，将其全部内容通过援引并入本文。
技术介绍
本披露涉及半导体晶片的微制造。硅晶片进行加工制成集成电路和其他半导体装置。半导体制造涉及晶片的沉积、生长、图案化、去除和清洁的许多不同步骤。添加和去除或部分地去除各种不同的材料，而保留其他材料。各种过程控制试图防止缺陷和污染。前述“
技术介绍
”描述是为了一般地呈现本公开的上下文。专利技术人的工作在本背景部分中所描述的程度上、以及在提交时间时可能不被认定为现有技术的本说明的方面，既没有明确地也没有隐含地承认是针对本专利技术的现有技术。
技术实现思路
在一方面，该方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括在前侧表面的第一环形区域中形成第一材料，从而使该第一环形涂覆有第一材料。第一环形区域紧邻衬底的周边。第一环形区域具有靠近衬底的周边的第一外周边和远离衬底的周边的第一内周边。该方法还包括在前侧表面的内部区域中形成第二材料，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对衬底进行加工的方法，该方法包括：/n接收衬底，该衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面；/n将分配喷嘴定位在该前侧表面的边缘区域附近，该前侧表面的该边缘区域是从该前侧表面的周边向该前侧表面的中心点处延伸预定距离的环形区域；/n由该分配喷嘴将第一材料沉积到该前侧表面的该边缘区域上，从而使该衬底的该边缘区域涂覆有该第一材料；以及/n将第二材料沉积到该前侧表面的中心区域上，该第二材料涂覆该前侧表面而不粘附到该前侧表面的该边缘区域上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180904 US 62/726,6051.一种对衬底进行加工的方法，该方法包括：
接收衬底，该衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面；
将分配喷嘴定位在该前侧表面的边缘区域附近，该前侧表面的该边缘区域是从该前侧表面的周边向该前侧表面的中心点处延伸预定距离的环形区域；
由该分配喷嘴将第一材料沉积到该前侧表面的该边缘区域上，从而使该衬底的该边缘区域涂覆有该第一材料；以及
将第二材料沉积到该前侧表面的中心区域上，该第二材料涂覆该前侧表面而不粘附到该前侧表面的该边缘区域上。


2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一材料是自组装单层。


3.如权利要求2所述的方法，其中，该自组装单层的可裂解基团是基于硝基苄基的、基于羰基的、或基于苄基的。


4.如权利要求1所述的方法，其中，该第一材料是氟化材料。


5.如权利要求1所述的方法，其中，选择该第一材料为疏水的。


6.如权利要求1所述的方法，其中，该第一材料以液体分配。


7.如权利要求1所述的方法，其中，该第一材料以蒸气分配。


8.如权利要求1所述的方法，进一步包括在沉积该第一材料之后且在沉积该第二材料之前清洁该前侧表面。


9.如权利要求1所述的方法，其中，该第二材料是光致抗蚀剂。


10.如权利要求1所述的方法，其中，该第二材料是含金属的膜。


11.如权利要求1所述的方法，其中，该分配喷嘴还被配置为在该衬底的边缘部分上分配溶剂作为边珠去除过程的一部分。

【专利技术属性】
技术研发人员：姜浩英，安东·德维利耶，科里·莱姆利，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP