本发明提供一种静电吸附方法和等离子体处理装置，能够简易地抑制环构件的吸附力的下降。对电极按等离子体处理的处理单位施加不同的极性的电压，所述电极设置于载置作为等离子体处理的对象的基板和包围基板的周围的环构件的载置台的内部的、至少与环构件对...

本发明提供一种热介质循环系统和基板处理装置。使透过树脂制的管道的透过气体的排气效率提高。热介质循环系统具有：管道，其为树脂制，构成供热介质循环于温度控制对象物的循环流路的至少一部分；罩，其包围管道的外周面；以及排气管，其与管道和罩之间的...

本发明提供基板处理装置用过滤器装置和清洁空气供给方法。使经由过滤器对多个并列配置的基板处理装置供给的清洁空气的温度均匀。过滤器装置具有在并列地配置的多个基板处理装置的上方设置的过滤器，该过滤器装置构成为：在所述过滤器的上方形成的管空间的...

本发明提供一种基板处理装置和空气供给方法。在具有多个处理单元的基板处理装置中减少向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。一种基板处理装置，其具有多个处理基板的处理单元，其中，该基板处理装置具有向所述处理单元供给空气的多个管...

本发明提供液处理装置和液处理装置的液检测方法。液处理装置包括：能够载置基片的载置部；对载置于上述载置部的上述基片供给处理液以进行处理的喷嘴；用于拍摄上述喷嘴以获取图像数据的拍摄部；和检测部，其基于多个上述图像数据来检测液面，该多个上述图...

本实用新型提供一种基板处理装置。在具有多个处理单元的基板处理装置中减少向各处理单元供给的清洁的空气的温度、湿度的单元间差异。一种基板处理装置，其具有多个处理基板的处理单元，其中，该基板处理装置具有向所述处理单元供给空气的多个管道，在各所...

本实用新型提供一种能够以高生产率进行处理且占地面积较小的涂敷、显影装置，其具备：处理模块，其设置有包括曝光前处理组件的处理组件；和中继模块，其设置有曝光后处理组件和第1送入送出组件，在各层设置有所述处理组件，在设置有所述曝光前处理组件的...

描述了形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法。该铪锆基膜可以是掺杂的或非掺杂的。该方法包括在衬底上沉积厚度大于5纳米的铪锆基膜，在该铪锆基膜上沉积盖层，对该衬底进行热处理以使该铪锆基膜以非中心对称的正交相、四方相或其混合物结...

本发明提供一种等离子体处理装置和温度控制方法。在一个例示的实施方式中，等离子体处理装置包括多个微波辐射机构、载置台、下部加热源和上部加热源。多个微波辐射机构设置于处理容器的上部。载置台配置于处理容器内。下部加热源设置于载置台内。上部加热...

本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。地供给偏置电功率...

本发明所公开的一种等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、等离子体生成部以及第1和第2电磁铁组件。基板支撑器配置于腔室内。基板支撑器上的基板的中心位于腔室的中心轴线上。等离子体生成部构成为在腔室内生成等离子体。第1电磁铁组件构成为包括一个...

本发明提供一种对基片进行处理的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：能够在上表面载置基片并对所载置的该基片进行加热的载置台；构成为能够从上述载置台的上表面伸出或没入该上表面，并且能够支承基片的基片支承销；和光照射机构，其对载置于...

本发明提供一种进行处理装置的检查的系统和检查方法，能够判定处理装置的异常。进行处理装置的检查的系统具备：温度调整机构，其调整处理装置的处理室内的部件温度；光源，其产生测定光；多个光学元件，在温度调整机构对部件进行温度调整的期间，所述多个...

一种等离子体处理装置，其用于对在基板的边缘区域产生的倾斜形状的随时间的变化进行抑制。该等离子体处理装置包括：腔室；下部电极，用于在所述腔室内放置基板；边缘环，布置于所述下部电极的周围；部件，布置于在所述腔室内与所述下部电极相对的上部电极...

本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，对于抑制抗蚀图案的图案倒塌有效。本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：向形成有抗蚀膜的基板的表面供给用于形成抗蚀图案的显影液；执多次清洗处理，该清洗处理是向形成有抗蚀图案的基板的...

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置(1)包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中该基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过旋转驱动部旋转...

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置(1)包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对由上述保持部保持...

本发明提供能够监视在实施等离子体处理的期间沉积于等离子体生成空间的膜的膜厚的技术。本发明的一方式的等离子体处理装置包括：处理容器；配置于上述处理容器的内部的与高频电源连接的第1电极；与上述第1电极相对地配置在上述处理容器的内部的接地的第...

本发明提供一种等离子体探测装置、等离子体处理装置和控制方法。本发明的一方式的等离子体探测装置包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件，安装在形成于处理容器的壁的开口部；和透光部，其设置于所述天线部的内部或者是所述天线部...

本发明提供等离子体处理装置和处理方法。等离子体处理装置包括：载置基片的第一电极；用于生成等离子体的等离子体生成源；对第一电极供给偏置功率的偏置电源；对等离子体生成源供给频率比偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和控制偏置电源和生成源电源...