本发明提供探针装置和探针卡的预冷却方法。是具有多个检查室的探针装置，多个检查室各自包括探针卡、探针卡保持部件、卡盘顶部、密封机构、温度调节部和供给部。探针卡具有多个探针。探针卡保持部件保持探针卡。卡盘顶部能够载置晶片。密封机构在探针卡保...

本发明涉及成膜方法。提供一种技术，其能够将硅氧化膜埋入于凹部而不容易因随后的蚀刻工序出现接缝。基于本公开的一个方式的成膜方法具有如下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板上的步骤；向上述基板供给氧化气体，对吸附于上述基板上的上述...

本发明提供一种基片处理系统中的输送方法。本发明的基片处理系统中的输送方法包括托盘送入步骤、测量步骤、调节步骤、基片载置步骤和托盘送出步骤。在托盘送入步骤中，将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室。在测量步骤中，测量载...

本发明提供基片和基片处理方法。基片包括：作为蚀刻的对象的被蚀刻膜；和第1膜。第1膜形成于被蚀刻膜上，由与被蚀刻膜相比对于蚀刻的蚀刻速率低的材料形成。第1膜中，在表面的一方向以第1间隔形成有多个第1开口。第1膜中，在一方向的多个第1开口的...

提供了一种方法，其中使用包含钌的硬掩膜材料。钌提供了一种硬掩膜材料，该材料对典型地用于处理衬底图案化层的许多等离子体化学过程具有抗蚀刻性，这些层包括例如像氮化物、氧化物、抗反射涂层(ARC)材料等的层。此外，可以通过不去除氮化物、氧化物...

本发明提供一种除去附着于腔室内的工作台的污染物的清洁方法，该清洁方法包括：将上述腔室内设定为规定的真空压力的第1工序；向上述工作台供给形成冲击波的第1气体的第2工序；向上述工作台供给不形成冲击波的第2气体的第3工序。的第3工序。的第3工序。

一种蚀刻衬底的方法包括在蚀刻处理系统的槽中提供蚀刻溶液，其中该蚀刻处理系统被配置为控制该蚀刻溶液的温度、该蚀刻溶液的浓度以及该蚀刻溶液在该槽内的流动。该衬底包含具有第一材料和第二材料的交替层的微加工结构，并且该蚀刻溶液包括蚀刻该第一材料...

加工装置具有：保持部，其保持基板；磨削部，其磨削被所述保持部保持的基板的加工面；搬送部，其相对于所述保持部搬送基板；以及控制部，其控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，其中，所述控制部控制所述保持部、所述磨削部以及所述搬送部，以执行...

在一个例示的实施方式中，提供一种处理基板的方法。基板具备蚀刻层和掩膜。掩膜设置在蚀刻层的第1表面上。该方法具备第1工序、第2工序以及第3工序。第1工序在掩膜的第2表面形成第1膜。第2工序通过对蚀刻层的第1表面进行蚀刻，将具有蚀刻层的材料...

一种蚀刻方法，其对高度不同的多个基底层的损伤进行抑制，同时将各基底层上的氧化硅膜蚀刻至不同深度。该蚀刻方法包括准备基板的工序，该基板具有高度不同的第一基底层和第二基底层、形成在第一基底层和第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在氧化硅膜上并且...

本发明提供载置台和基板处理装置。对基板的最外周的温度进行控制。提供一种载置台，该载置台具有位于基板的外侧的第1面和载置基板的第2面，其中，该载置台与所述第1面对应地形成第1流路。成第1流路。成第1流路。

本发明提供载置台和基板处理装置。防止载置台所使用的粘接层的消耗。载置台具有：晶圆载置部，其具有载置晶圆的载置面，并形成有第1贯通孔；基台，其利用第1粘接层与所述晶圆载置部的背面粘接，并形成有与所述第1贯通孔连通的第2贯通孔，该第2贯通孔...

本发明提供一种载置台和基板处理装置，能够控制载置台内的流路中的除热均匀性。在静电吸盘上载置基板的载置台具有：基台；所述静电吸盘，其被载置于所述基台的载置面；以及流路，其沿所述载置面形成于所述载置台的内部，用于使热交换介质从热交换介质的供...

本发明提供一种基板处理装置及其制造方法。针对从喷嘴单元喷出的处理液具有充分的耐蚀性，且可靠地防止所喷出的处理液的带电。基板处理装置具有喷嘴单元。喷嘴单元具备配管和设置到配管的顶端的喷头，配管具有第1层、第2层以及第3层。喷头由具有导电性...

本发明提供一种喷淋板、下部电介质和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式中，喷淋板包括：具有气孔的板状的电介质主体；和电介质主体内所包含的多个密闭区域。各密闭区域具有比电介质主体低的介电常数，电介质主体的中央区域中的密闭区域的体积密度高...

本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：遮罩部件，其配置成包围由旋转保持部保持的基片的周围；收集部件，其配置于遮罩部件与旋转保持部之间的排气路径；和溶剂供给部，其配置在收集部件的上方，构成为能够对收集部件供给溶剂。溶剂供给部包括：...

本发明提供一种基片处理系统，其包括第1腔室、第2腔室和冷却通路。第1腔室提供用于处理基片的空间，其中该基片是从被维持为真空气氛的第1输送室输送来的。第2腔室构成为内部能够与第1输送室和被维持为大气气氛的第2输送室连通。第2腔室具有与第1...

本实用新型提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本实用新型的基板处理装置具备保持部和加热机构。保持部以基板能够旋转的方式保持该基板的下表面中央部。加热机构向基板的下表面供给加热后的流体。另外，加热机构具备多个翅片、热源...

本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台，其可设定的温度的范围宽广，并且，能够细微地控制基片的面内温度分布。一个实施方式的载置台包括静电吸盘。静电吸盘具有基座和吸盘主体。吸盘主体设置在基座上，利用静电引力保持基片。吸盘主体具有多个第1加...

本发明提供基片处理装置和基片干燥方法。本发明的基片处理装置能够进行使用超临界状态的处理流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的干燥处理，该基片处理装置包括处理容器、保持部和供给部。处理容器收纳基片。保持部在处理容器内保持基片。供给部对处...