本发明提供载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法。抑制盖构件相对于载置台主体的位置偏移，利用用于抑制该位置偏移的机构防止载置台主体热膨胀或者热收缩时该载置台主体产生破损。载置基板的载置台包括：载置台主体，该载置台主体在上表面载置基板；...

本发明提供基板输送装置以及基板输送方法。使借助中间室连结了多个真空输送室的基板输送装置小型化。基板输送装置输送基板，具有：多个真空输送室，均在内部设有保持基板并对其进行输送的基板输送机构；和中间室，配设在互相相邻的所述真空输送室之间，在...

本发明涉及一种加热处理装置以及加热处理方法。抑制在对基板进行加热时产生的升华物所带来的不良影响。一种加热处理装置，其在处理容器内对形成有涂布膜的基板进行加热，该加热处理装置具有：载置部，其设于所述处理容器内，用于载置所述基板；加热部，其...

本发明提供一种蚀刻装置和蚀刻方法，在通过蚀刻去除基板周缘部的不需要的膜时精密地控制不需要的膜的去除范围。蚀刻装置具备：基板保持部，其保持基板；旋转驱动部，其使基板保持部绕旋转轴线旋转；液喷出部，其朝向被基板保持部保持的基板的周缘部喷出蚀...

本发明提供一种液处理装置，其包括罐、循环通路、泵、多个液处理部和多个供给通路，循环通路具有设有泵的主通路部分和从主通路部分分支的第一分支通路部分和第二分支通路部分，从罐流出的处理液在通过主通路部分后流入各分支通路部分，并通过各分支通路部...

提供一种蚀刻处理方法，其能够提高基底层相对于蚀刻对象膜的选择比。该蚀刻处理方法包括：在处理容器内准备形成有层叠膜的基板的工序，该层叠膜至少具有含硅绝缘层、布置在所述含硅绝缘层的下层的基底层、以及布置在所述含硅绝缘层的上层的掩模层；供给至...

本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置。清洁方法包括：用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和...

本发明提供蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，该蚀刻方法中，上述环状部件包括第1环状部件和比上述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，上述第1环状部件的至少一部分配置在上述...

本发明提供一种基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质。基片热处理装置包括：能够对形成有覆膜的基片进行支承和加热的加热部；将所述加热部上的处理空间与外部空间隔开的腔室；外周排气部，其在比所述基片的周缘靠外侧的位置具有朝向所述处理空间内的...

本发明提供密封结构、真空处理装置和密封方法。在真空气氛下进行基片的处理的处理腔室所连接的气体供给配管的密封结构，其包括：第1配管部件，其构成上述气体供给配管，具有形成有与处理腔室连通的开口部的端面；第2配管部件，其构成上述气体供给配管，...

本发明的基板处理装置具有腔室、载置台以及喷淋头。喷淋头具有第一基体构件、第二基体构件、喷淋板以及多个传热构件。第一基体构件包括第一圆筒壁、第二圆筒壁以及第一上部壁。第二基体构件包括第三圆筒壁、第四圆筒壁以及第二上部壁。喷淋板具有多个贯通...

本发明描述了与自由基源相关的技术，该自由基源具有壳体，该壳体包括等离子体腔，该等离子体腔被设计为容纳由等离子体发生器产生的等离子体。该壳体具有至少一个气体喷射器，该至少一个气体喷射器被设计为将工艺气体喷射到该等离子体中。该等离子体由喷射...

本发明提供一种加热装置、加热方法以及基板处理装置。对加热对象物进行加热的加热装置具备：加热构件，其包括电磁波吸收体，并且对加热对象物进行支承；电磁波照射部，其向加热构件的与支承加热对象物的面相反一侧的照射面照射电磁波；以及控制部。电磁波...

本发明提供一种天线装置及温度检测方法。例示性实施方式的天线装置具有第1金属层、在第1金属层上设置的第1电介质层、在第1电介质层上设置的第2金属层以及在第2金属层上设置的第2电介质层，天线装置具备在第2电介质层上设置的第1金属端子及第2金...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的工序和第1工序。在提供基片的工序中提供具有第1膜和第2膜的基片，该第2膜形成在该第1膜上并且形成有图案。在第1工序中，一边将第1处理气体等离子体化以在进行第2膜的溅射的同时...

本发明提供数据处理装置、数据处理方法和程序，提高制造工艺的模拟的精度。具有：第1储存部，其储存有以根据针对与制造工艺的规定的步骤建立了对应的多个数据组分别计算出的在该规定的步骤中的效果，对该多个数据组各自在特征空间中的分布进行分类的方式...

本发明提供一种光照射装置，其包括：收纳基片的处理室；收纳能量射线的射线源的线源室；将处理室与线源室分隔开的分隔壁；多个窗部，其设置在分隔壁，能够使从射线源向处理室内的基片出射的能量射线透射；和多个气体释放部，其分别设置在处理室内的多个窗...

本发明提供一种液滴释放装置。实施方式的液滴释放装置包括输送机构、释放头、第1介质输送部、第2介质输送部和摄像部。输送机构沿输送方向输送工件。释放头对工件释放功能液的液滴。第1介质输送部在与输送方向正交的方向上输送能够接收从释放头释放的检...

本发明的成膜装置通过等离子体ALD在基片上形成规定的膜，其包括：腔室；载置台；喷淋头，其具有上部电极和与上部电极绝缘的喷淋板；与上部电极连接的第一高频电源；以及与包含于载置台的电极连接的第二高频电源。通过从第一高频电源对上部电极供给高频...

本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的...