本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括第一清洗步骤和第二清洗步骤。第一清洗步骤用第一清洗液清洗基片。第二清洗步骤在第一清洗步骤后，用与第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗基片。本发明在使用清洁度低的清...

本发明提供中间连接部件和检查装置。本发明的一个方式的中间连接部件能够设置于具有多个第1端子的第1部件与具有多个第2端子的第2部件之间，将上述第1端子与上述第2端子电连接，该中间连接部件包括：用于将上述第1端子与上述第2端子电连接的多个连...

提供一种基板处理装置中的蚀刻方法，所述基板处理装置具有用于放置基板的第一电极、以及与所述第一电极相对的第二电极，所述蚀刻方法包括：第一工序，导入第一气体，以将形成在基板上的对象膜蚀刻成该对象膜上的预定膜的图案的方式将所述对象膜的蚀刻进行...

本公开的一个方式的测定方法包括测定位移(A1)的工序、将摄像部(20)配置于能够拍摄测定标记(M1)的位置的工序以及拍摄测定标记(M1)的工序。在测定位移(A1)的工序中，测定将两张基板接合而成的重合基板的、配置有用于测定位置偏离的测定...

本发明提供一种减压干燥装置，其使基片上的溶液在减压状态下干燥，溶液包含沸点相互不同的多种溶剂，减压干燥装置具有收纳基片的容器，在容器内具有：用于载置基片的载置台；溶剂收集部，其暂时收集从载置于载置台上的基片气化了的溶液中的溶剂；和使溶剂...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括载置部、输送部、检测部和修正部。在载置部能够载置承载器，该承载器具有能够收纳多个基片的多个槽。输送部基于设定在载置部的基准收纳位置，对槽送入送出基片。检测部检测收纳于槽的基片...

本发明提供一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置，该硬掩膜进行了应力调整。所述硬掩模形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成...

本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地...

本发明提供一种基板处理系统。具有对基板实施规定处理的多个处理装置的基板处理系统，拍摄用处理装置处理前的基板的表面来取得第一基板图像，从该第一基板图像抽取规定的特征量，从存储有与各自不同的范围的特征量对应地设定的多个检查方案的存储部，选择...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，以抑制数据量并获得高吞吐量的方式设定在基板处理装置中能够搬送基板的搬送时间表。该基板处理装置构成为具备：多个单位块；主搬送机构，其设置于单位块的各搬送线路，相互独立地在多个模块间搬送基板；搬入搬...

本发明涉及成膜方法。提供能够抑制基板的氧化并成膜膜质良好的硅氧化膜的技术。其具有第1工序和在第1工序后进行的第2工序，第1工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅...

本发明提供一种成膜方法。提供一种能够在凹部埋入不易由于之后的蚀刻工序而产生缝隙的硅氧化膜。本公开的一技术方案的成膜方法具有以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板之上；向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷...

本实用新型提供一种液处理装置，对于利用从喷嘴喷出的处理液进行的液处理的面内均匀性有效。液处理装置具备：处理液供给部，其具有喷出处理液的喷嘴；喷嘴移动部，其使所述喷嘴在用于朝向基板的表面供给处理液的涂布位置和与涂布位置不同的待机位置之间移...

对形成于基板的涂布膜进行加热处理的加热处理装置具有：载置部，其载置基板；加热部，其用于将载置的基板进行加热；环状体，其以包围该载置部的外周的方式设置；盖体，其覆盖该载置部，并且通过盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；中...

本发明提供一种使基片上的溶液在减压状态下干燥的减压干燥装置，其包括：用于收纳所述基片的容器；设置在所述容器内的用于载置所述基片的载置台；和溶剂收集部件，其以与载置在所述载置台上的所述基片相对的方式设置在所述容器内，用于暂时收集从该基片气...

本发明提供一种干燥装置、基板处理系统以及干燥方法。提供一种能够在基板的干燥时抑制凹凸图案的图案倒塌的技术。一种干燥装置，其是在利用液膜覆盖了基板的形成有凹凸图案的上表面之后使所述基板干燥的干燥装置，其具有：第1传热部，其被温度调整为第1...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于喷嘴臂，用于使基片的位置与保持部中的所设定的位置对准。本发明能够高精...

本发明提供等离子体处理装置，能抑制排气口附近的异常放电。包括：处理容器、载置台、气体供给机构、排气机构、等离子体生成机构以及偏压电力供给机构。处理容器收纳基板。载置台设于处理容器内，载置基板。气体供给机构向处理容器内供给处理气体。排气机...

本发明提供基片载置台和等离子体处理装置。基片载置台在等离子体处理腔室中使用，其包括：具有销用贯通孔的主体，其中销用贯通孔具有带内螺纹的内壁；具有根端部分、中间部分和前端部分的升降销，升降销被插入销用贯通孔，中间部分带有外螺纹，带外螺纹的...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方面的基片处理装置包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行第一修整面的修整的第二修整面；保持研磨部件和...