蚀刻方法及基板处理装置制造方法及图纸

提供一种基板处理装置中的蚀刻方法，所述基板处理装置具有用于放置基板的第一电极、以及与所述第一电极相对的第二电极，所述蚀刻方法包括：第一工序，导入第一气体，以将形成在基板上的对象膜蚀刻成该对象膜上的预定膜的图案的方式将所述对象膜的蚀刻进行至中途；第二工序，在进行所述第一工序之后，导入包含Ar气体、H

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法及基板处理装置
本公开涉及一种蚀刻方法及基板处理装置。
技术介绍
专利文献1公开了一种晶圆的处理方法，其在硅基材上依次层叠有非晶碳膜、SiON膜、防反射膜以及光致抗蚀剂层，并且光致抗蚀剂层具有使防反射膜的一部分暴露的开口部。专利文献1提出使沉积物在光致抗蚀剂膜的开口部的侧壁面上沉积以使开口部的开口宽度缩小至预定宽度。专利文献2公开了一种蚀刻处理方法，其即使在形成的图案的深宽比(aspectratio)较高的情况下也能够防止图案变形。<现有技术文献><专利文献>专利文献1：(日本)特开2010-41028号公报专利文献2：(日本)特开2011-199243号公报
技术实现思路
<本专利技术要解决的问题>本公开提供一种技术，能够以不引起蚀刻不良的方式将对象膜的开口宽度缩小。<用于解决问题的手段>根据本公开的一个实施方式，提供一种基板处理装置中的蚀刻方法，所述基板处理装置具有用于放置基板的第一电极、以及与所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置中的蚀刻方法，所述基板处理装置具有用于放置基板的第一电极、以及与所述第一电极相对的第二电极，所述蚀刻方法包括：/n第一工序，导入第一气体，以将形成在基板上的对象膜蚀刻成该对象膜上的预定膜的图案的方式将所述对象膜的蚀刻进行至中途；/n第二工序，在进行所述第一工序之后，导入包含Ar气体、H

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180704 JP 2018-1278161.一种基板处理装置中的蚀刻方法，所述基板处理装置具有用于放置基板的第一电极、以及与所述第一电极相对的第二电极，所述蚀刻方法包括：
第一工序，导入第一气体，以将形成在基板上的对象膜蚀刻成该对象膜上的预定膜的图案的方式将所述对象膜的蚀刻进行至中途；
第二工序，在进行所述第一工序之后，导入包含Ar气体、H2气体以及沉积性气体的第二气体，并向所述第二电极施加直流电压，以形成保护膜；以及
第三工序，在进行形成所述保护膜的工序之后，导入第三气体，对所述对象膜进行蚀刻。


2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
所述沉积性气体包含C和F。


3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，
所述第三气体与所述第一气体不同。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，
所述第三气体包含N和H。


5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其中，
所述第三气体是N2和H2。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻方法，其中，
所述第一气体包含O2、N2、H2、CO、CO2以及Ar中的至少任意一者。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的蚀刻方法，其中，
所述保护膜包含C和F。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的蚀刻方法，其中，
在所述第一工序、所述第二工序以及所述第三工序中施加的等离子体生成用的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：及川翔，石田和香子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP