一种基于MOS管底层去除光阻的方法技术

本发明专利技术提供一种基于MOS管底层去除光阻的方法，所述方法包括：在向所述MOS管结构掺杂离子之前，当掺杂离子的掺杂工艺使用的是大束流工艺时，即离子注入掺杂剂量在10

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS管底层去除光阻的方法
本专利技术属于芯片制造
，具体涉及一种基于MOS管底层去除光阻的方法。
技术介绍
在集成电路中，MOS管是组成电路的基本单元，是影响芯片能否正常工作的关键器件。通常MOS管是由四部分组成：阱(Well)或者衬底(substrate)，源极(source)和漏极(drain)，以及栅极(gate)。MOS的结构包括“阱(Well)”/或者“衬底(Substrate)”用来装载MOS器件，Well的内部有“源极(Source)”和“漏极(drain)”，源极的作用是发射载流子，漏极的作用用来吸收源极过来的载流子。“栅极(Gate)”的作用相当于整个MOS器件的开关，以NMOS为例，当通电的时候，栅极会吸引下方的载流子电子在沟道聚集，随着电压的不断增大，沟道聚集的载流子不断增多，当到达一定数量的时候，沟道电流饱和。在制备MOS管过程中，当使用离子注入工艺为大束流时，较重的掺杂剂量导致离子轰击光阻表面严重，使光阻表面发生碳化形成硬壳。形成硬壳后的光阻粘附力增强，导致进行光阻干法灰化工艺中难以去除并留下光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MOS管底层去除光阻的方法，其特征在于，所述方法包括：/n在向所述MOS管结构进行掺杂离子之前，且所述离子的浓度超过10

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS管底层去除光阻的方法，其特征在于，所述方法包括：
在向所述MOS管结构进行掺杂离子之前，且所述离子的浓度超过1015ion/cm2，利用紫外光照射晶圆上的光刻胶，使光刻胶发生光化学反应将分子长链分解为短链；
在向所述MOS管结构掺杂离子之后，利用干法灰化工艺清除所述晶圆上的光刻胶；
利用湿法工艺清除所述晶圆上的残余光刻胶。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用紫外光照射晶圆上的光刻胶，包括：
设定紫外光照射时间为20-40s。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云鹏，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32