化学机械平坦化的方法技术

一种化学机械平坦化的方法，包括在基板上方形成膜层，增加膜层的表面粗糙度，以及在增加表面粗糙度之后，使用第一化学机械平坦化制程将膜层平坦化。

【技术实现步骤摘要】
化学机械平坦化的方法
本公开实施例涉及一种平坦化的方法，特别涉及一种化学机械平坦化的方法。
技术介绍
一般来说，半导体装置包括形成在基板上的主动构件，像是晶体管。可以在基板上方形成任意数量的内连线层，内连线层将主动构件彼此连接并与外部装置连接。内连线层通常由包括金属沟槽/导孔的低k介电材料制成。当形成装置的层时，可以执行平坦化制程以对层平坦化，以利于形成后续的层。例如，在基板或金属层中形成金属特征可能会导致不平整的形貌(topography)。这种不平整的形貌可能会使得难以形成后续的层。例如，不平整的形貌可能会干扰通常用于在装置中形成各种特征的微影制程。因此，在形成各种特征或层之后，对装置的表面进行平坦化可能是有利的。化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是集成电路形成中的常见的实务。通常，化学机械研磨用于半导体晶圆的平坦化。化学机械研磨利用物理力以及化学力的协同效应来研磨晶圆。通过在晶圆放置在研磨垫上的同时向晶圆背面施加负载力来执行此操作。研磨垫相对着晶圆放置。然后旋转研磨垫以及晶圆，同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械平坦化的方法，包括：/n在一基板上方形成一膜层；/n增加该膜层的一表面粗糙度；以及/n在增加该表面粗糙度之后，使用一第一化学机械平坦化制程将该膜层平坦化。/n

【技术特征摘要】
20190517 US 16/415,9811.一种化学机械平坦化的方法，包括：
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：粘博钦，黄罡，洪伟伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71