【技术实现步骤摘要】
用于平面化端点确定的方法、系统及设备
本专利技术大体上涉及半导体处理,且更特定来说涉及确定例如化学机械平面化(CMP)的平面化工艺的端点。
技术介绍
半导体处理(可用以制作集成电路装置、存储器装置、微机电装置(MEMS)等等)可涉及在衬底(例如半导体)上形成各种结构(例如,晶体管、电容器、二极管等),所述各种结构可包括导电材料、半导电材料、电介质材料及绝缘材料。在制作期间,所形成结构可在各种阶段经受平面化或抛光。平面化工艺(例如化学机械平面化工艺,也可称为化学机械抛光(CMP))可为研磨技术,所述研磨技术可包含在制作期间使用化学试剂及机械试剂的组合将结构平面化或以其他方式从结构移除材料。移动(例如,旋转)平面化或抛光垫(例如,平面化垫)可结合化学溶液及研磨剂使用以从结构机械地移除材料。研磨剂可呈现为浆料,即组合有化学溶液,或者可固定在平面化垫本身内。
技术实现思路
在一个方面中,本申请案提供一种用于平面化的方法,其包括:通过抵靠结构而移动垫来对所述结构执行平面化工艺,其中所述垫包含形成于其中的流动 ...
【技术保护点】
1.一种用于平面化的方法,其包括:/n通过抵靠结构(102、402、502)而移动垫(103、203、303、503、603、703)来对所述结构(102、402、502)执行平面化工艺,其中所述垫(103、203、303、503、603、703)包含形成于其中的流动池(106、206、306、406、506、606、706);/n在所述流动池(106、206、306、406、506、606、706)中产生流,同时所述结构(102、402、502)的表面(125、525)接触所述流;及/n基于所述流的所确定特性改变而确定所述平面化工艺的端点。/n
【技术特征摘要】
20190516 US 16/414,0711.一种用于平面化的方法,其包括:
通过抵靠结构(102、402、502)而移动垫(103、203、303、503、603、703)来对所述结构(102、402、502)执行平面化工艺,其中所述垫(103、203、303、503、603、703)包含形成于其中的流动池(106、206、306、406、506、606、706);
在所述流动池(106、206、306、406、506、606、706)中产生流,同时所述结构(102、402、502)的表面(125、525)接触所述流;及
基于所述流的所确定特性改变而确定所述平面化工艺的端点。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述流包括两相液体-气体流,且其中所述方法包含响应于确定所述端点而停止所述平面化工艺。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述流的所述特性改变指示所述结构(102、402、502)的所述表面(125、525)的润湿性的改变。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述端点对应于第一材料(120)被从移动结构(125、525)移除以暴露所述移动结构(125、525)的第二材料(122)。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法,其中所述端点对应于所述结构的所述表面(125、525)被抛光成特定光洁度。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法,其进一步包括通过光学感测系统(242、342)或声学感测系统(242、342)来确定所述流的所述特性改变。
7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法,其中确定所述流的所述特性改变包括确定:所述流的反射率改变为预定反射率;所述流的折射率改变为预定折射率;所述流中的气泡的平均大小改变为预定平均大小;所述流中的所述气泡之间的平均距离改变为预定平均距离;所述流的气体空隙率改变为预定气体空隙率;或者由所述流散射的光的强度改变为预定强度。
8.一种用于平面化的方法,其包括:
抵靠旋转结构(102、402、502)而旋转垫(103、203、303、503、603、703)以从所述旋转结构(102、402、502)的第二材料(122)移除所述旋转结构(102、402、502)的第一材料(120);
感测由所述旋转垫(103、203、303、503、603、703)携载的通道(104、204、304、404、504、604、704)中的流的流动特性,同时所述旋转结构(102、402、502)的表面(125、525)接触所述流;及
基于所感测流动特性而确定是否从所述第二材料(122)移除所述第一材料(120)。
9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括响应于确定所述所感测流动特性改变为预定流动特性而确定从所述第二材料移除所述第一材料。
10.根据权利要求9所述的方法,其中响应于所述旋转结构的所述表面由于所述第一材料从所述第二材料的所述移除的润湿性改变,所述所感测流动特性改变为所述预定流动特性。
11.根据权利要求8到10中任一权利要求所述的方法,其中在所述垫的旋转周期的一部分期间,所述旋转结构(102、402、502)的所述表面接触所述流。
12.一种用于平面化的设备,其包括:
平面化垫(103、203、303、503、603、703),其包括流动池(106、206、306、406、506、606、706);
其中所述流动池(106、206、306、406、506、606、706)包括:
流动通道(104、204、304、404、504、604、704),其从所述流动池(106、206、306、406、506、606、706)的上表面(228、328、528、628、728)延伸到所述流动池(106、206、306、406、506、606、706)中;
第一注入端口(230、330、530、630、233、333、533、633),其形成到所述流动通道(104、204、304、404、504、604、704)的第一入口;
第二注入端口(230、330、530、630、233、333、533、633),其形成到所述流动通道(104、204、304、404、504、604、704)的第二入口;及
排放端口(235)...
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