微电子装置以及相关的存储器装置及电子系统制造方法及图纸

技术编号:46476643 阅读:4 留言:0更新日期:2025-09-23 22:35
本申请涉及微电子装置以及相关的存储器装置及电子系统。一种微电子装置包含:存储器阵列结构,其包含具有易失性存储器单元的阵列区;控制电路系统结构,其位于所述存储器阵列结构竖直上方并接合到所述存储器阵列结构;及全局布线层面。所述控制电路系统结构包含控制电路系统区,所述控制电路系统区与所述阵列区水平重叠且包括耦合到所述易失性存储器单元的控制逻辑电路系统。所述全局布线层面竖直上覆于所述控制逻辑电路系统。一些全局布线层面分别包含限制在所述控制电路系统区的水平区域内的全局布线结构的群组。所述群组的所述全局布线结构在第一方向上平行地水平延伸。

【技术实现步骤摘要】

在各种实施例中,本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更具体来说,本公开涉及微电子装置,且涉及相关的存储器装置、电子系统及方法。


技术介绍

1、微电子装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分开距离而增大微电子装置内的特征的集成水平或密度。另外,微电子装置设计者通常期望设计不仅紧凑,而且提供性能优势以及简化、更容易及更便宜制造设计的架构。

2、微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置,包含(但不限于)易失性存储器装置。一种类型的易失性存储器装置是动态随机存取存储器(dram)装置。dram装置可包含存储器阵列,所述存储器阵列包含布置成在第一水平方向上延伸的行及在第二水平方向上延伸的列的dram单元。在一个设计配置中,个别dram单元包含存取装置(例如,晶体管)及电连接到存取装置的存储节点装置(例如,电容器)。dram装置的dram单元可通过沿着存储器阵列的行及列布置的数字线结构及字线而电存取且与dram装置的基本控制逻辑结构内的控制逻辑装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微电子装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的微电子装置,其中所述全局布线层面包括:

3.根据权利要求2所述的微电子装置,其中所述第一全局布线层面进一步包括:

4.根据权利要求3所述的微电子装置,其中所述第二全局布线层面进一步包括分别将所述第一全局布线层面的所述第一全局布线结构的所述群组中的两者彼此耦合的所述第二全局布线结构的额外群组,

5.根据权利要求1所述的微电子装置,其中:

6.根据权利要求5所述的微电子装置,其中所述控制电路系统结构的所述控制电路系统区分别包括:

7.根据权利要求6所述的微电子装置,其...

【技术特征摘要】

1.一种微电子装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的微电子装置,其中所述全局布线层面包括:

3.根据权利要求2所述的微电子装置,其中所述第一全局布线层面进一步包括:

4.根据权利要求3所述的微电子装置,其中所述第二全局布线层面进一步包括分别将所述第一全局布线层面的所述第一全局布线结构的所述群组中的两者彼此耦合的所述第二全局布线结构的额外群组,

5.根据权利要求1所述的微电子装置,其中:

6.根据权利要求5所述的微电子装置,其中所述控制电路系统结构的所述控制电路系统区分别包括:

7.根据权利要求6所述的微电子装置,其进一步包括耦合到所述存储器阵列结构的所述阵列区内的所述易失性存储器单元及所述控制电路系统结构的所述控制电路系统区的所述sa子区内的所述sa装置的导电结构的布置,所述导电结构的所述布置延伸穿过所述存储器阵列结构的所述数字线出口区及所述控制电路系统结构的所述数字线接触区。

8.根据权利要求7所述的微电子装置,其中所述导电结构的所述布置包括:

9.根据权利要求8所述的微电子装置,其中:

...

【专利技术属性】
技术研发人员:F·A·席赛克艾吉Y·V·S·R·万查
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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