半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法制造方法及图纸

一种即使在受到NWI的影响的情况下也能抑制阈值分布的扩展的半导体存储装置。具备：多个存储器单元阵列；多个存储器单元，包含于第一存储器单元阵列；多个字线，连接于多个存储器单元的栅极；位线，连接于第一存储器单元阵列的第一端部；控制电路，响应于用于对第一存储器单元写入数据的指令序列而执行1次以上的循环，第一存储器单元是连接于第一字线的存储器单元之一，各循环包括用于对第一存储器单元写入数据的第一编程动作和用于验证写入到第一存储器单元的数据的验证动作，指令序列包含阈值电压信息，控制电路在退出循环后，基于对连接于第二字线的第二存储器单元设定的阈值电压的电平，决定是否执行调整第一存储器单元的阈值电压的动作。

【技术实现步骤摘要】

本实施方式涉及半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法。

技术介绍

1、近年来，作为半导体存储装置，nand型存储器正在普及。在这种半导体存储装置中，在对字线wln进行写入，接着对字线wln+1进行了写入时，产生已完成写入的字线wln的各存储器单元的阈值电压上升的相邻字线干扰(nwi：neighbor word-lineinterference)。

2、由于该nwi的影响，字线wln的各存储器单元的阈值分布变宽，从而阈值分布间的余量减少，失效比特计数(fbc)增加。该nwi的影响随着为了提高存储器密度而减小栅极间的间隔，并且随着多值化的发展而变大。

技术实现思路

1、一实施方式提供一种即使在受到nwi的影响的情况下也能够抑制阈值分布的扩展的半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法。

2、一实施方式的半导体存储装置，具备：多个存储器单元阵列；多个存储器单元，包含于作为所述多个存储器单元阵列之一的第一存储器单元阵列；多个字线，连接于所述多个存储器单元的栅极；位线，连接于所述第一存储器单元阵本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，</p>

11.一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，

11.一种半导体存储装置的控制方法，

12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：川添莉奈，草加拓也，有园大介，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：