本实施方式提供一种能够将配线层恰当地连接于存储单元的半导体层的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；及多个电极层，设置在所述第1衬底的上方，且积层在第1方向。所述装置还具备：第1半导体层，在所述多个电极层内沿...

本公开涉及非易失性存储装置对主机任务的分担。各种实施方式涉及由非易失性存储器装置从主机接收包括非易失性存储器装置的装置环境信息的主机命令。装置环境信息包括每个非易失性存储器装置的缓冲器的地址。响应于接收到主机命令，在非易失性存储器装置之...

实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个导电层，配设在与衬底的表面交叉的第1方向，且在与第1方向交叉的第2方向延伸；多个绝缘层，分别设置在多个导电层之间；半导体层，在第1方向延伸，与多个导电层...

本发明提供一种缩短数据传输时期的存储器系统。实施方式的存储器系统具备非易失性存储器、及能从所述非易失性存储器读出数据的存储器控制器，且所述非易失性存储器包含第1存储器裸片及第2存储器裸片，所述第1存储器裸片包含第1存储器面及第2存储器面...

本发明涉及一种图案形成方法、半导体装置的制造方法、及压印装置。实施方式的图案形成方法是将具有多个拍摄区域的衬底保持于具有吸附衬底的外缘部的第1吸附区域、与吸附外缘部的内侧区域的第2吸附区域的吸附卡盘上，多个拍摄区域遍及外缘部与内侧区域配...

本发明的课题是增加反应管内能够收纳的基板数。实施方式的基板处理装置具备舟皿、反应管以及第1臂和第2臂，舟皿能够将从收纳容器取出的多个基板排列保持在与多个基板的面交叉的第1方向上，反应管收纳舟皿，并能够处理多个基板，第1臂和第2臂用于搬运...

实施方式提供包括了具有高性能的存储单元的磁存储装置及磁存储装置的制造方法。实施方式的磁存储装置具备下部电极、阻挡层、可变电阻层、上部电极以及第1层叠体。下部电极包含无定形碳或无定形氮化碳。阻挡层位于下部电极上，包含WN或WSiN。可变电...

实施方式提供了一种能够缩短巡检动作所需时间的存储器系统。一种存储器系统包括半导体存储器和控制器，所述半导体存储器包括具有多个存储单元的单位单元和用于控制多个存储单元的控制电路，所述控制器控制所述半导体存储器。所述控制电路被配置为通过使用...

本发明涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：下层膜；第1积层体，配置在下层膜的上方，将多个第1导电层与多个第1绝缘层逐层交替积层；及第1柱，贯通第1积层体到达下层膜，在与多个第1导电层的交叉部分...

本发明的目的在于提供一种能减少衬底的缺陷的衬底处理方法及衬底处理装置。根据一实施方式，衬底处理方法包含在衬底上形成液膜，所述衬底具有在最表面设置着第一膜的第一区域、及在最表面设置着材料与所述第一膜不同的第二膜的第二区域。所述方法还包含通...

本公开涉及提高了动作特性的存储装置。实施方式的存储装置包括：存储单元(MC)，连接于第1和第2信号线(WL)、(BL)之间；第1布线(DXL)，连接于第1信号线(WL)；第2布线(DYL)，连接于第2信号线(BL)；以及预充电电路(14...

提供一种数据生成装置、数据生成方法以及计算机可读存储介质。一个实施方式的数据生成装置具备处理部、评价部以及转换部。处理部通过基于目标图案的光学邻近效应校正，设计与目标图案对应的包括多个矩形区域的掩模图案，该目标图案是使用光掩模形成于基板...

提供能够抑制芯片面积的增加的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置具备：第一芯片(10＿1)，具有包含第一存储器单元(MC)的第一存储器单元阵列(11＿1)；第二芯片(10＿2)，具有包含第二存储器单元(MC)的第二存储器单元阵列...

本发明提供一种可高集成化的半导体存储装置。所述装置具备：第1结构，具有多个第1导电层，所述第1导电层在第1方向上连续，且在与第1方向交叉的积层方向上积层；及第2结构，具有多个第2导电层，所述第2导电层相对于第1导电层，在与第1方向及积层...

本发明的实施方式提供一种提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：第1半导体层；第1配线层，设置在所述第1半导体层的上方；第2配线层，与所述第1配线层相邻而配置；第1存储器柱，通过所述第1配线层，且一端连接于所述第1半导...

本发明的实施方式涉及一种存储装置。实施方式的存储装置具备：第1导电层；第2导电层；第3导电层；电阻变化层，设置在第1导电层与第2导电层之间；以及开关层，设置在第2导电层与第3导电层之间。在第1导电层与第3导电层之间设有第2导电层。开关层...

实施方式的半导体存储装置具有第一层叠体、第二层叠体、夹设部和柱状体。所述夹设部配置在所述第一层叠体与所述第二层叠体之间。所述柱状体具有在所述第一层叠体内沿所述第一方向延伸的第一柱状部、在所述第二层叠体内沿所述第一方向延伸的第二柱状部、以...

在本发明的半导体装置的制造方法中，形成具有第1多晶半导体层与第2多晶半导体层的剥离层，所述第1多晶半导体层设置在第1衬底之上，所述第2多晶半导体层设置在第1衬底与第1多晶半导体层之间，p型杂质的浓度比第1多晶半导体层低，且n型杂质的浓度...

实施方式提供一种能够适宜地制造的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：第1存储器裸片；第2存储器裸片，经由粘接剂设置在第1存储器裸片的上方；第1配线，连接于第1存储器裸片，且能够对第1存储器裸片供给电源电压；第1开关...

本实施方式涉及半导体存储装置。该半导体存储装置具备：多个导电层隔着绝缘层被层叠的层叠体；以及在层叠体的层叠方向上重叠地设置的电路部，层叠体具有配置多个存储单元的存储部和多个导电层的端部成为阶梯状的阶梯部，电路部具有与多个导电层连接的行解...