【技术实现步骤摘要】
实施方式大体涉及磁存储装置及磁存储装置的制造方法。
技术介绍
1、作为存储装置的一种，已知磁存储装置。
技术实现思路
1、本专利技术的课题在于提供包括了具有高性能的存储单元的磁存储装置。
2、实施方式的磁存储装置具备下部电极、阻挡层、可变电阻层、上部电极以及第1层叠体。下部电极包含无定形碳或无定形氮化碳。阻挡层位于下部电极上，包含wn或wsin。可变电阻层位于阻挡层上，包含可变电阻材料。上部电极位于可变电阻层上，包含无定形碳或无定形氮化碳。第1层叠体设置在上部电极上，包括第1铁磁性层、第2铁磁性层以及第1铁磁性层与第2铁磁性层之间的绝缘层。
【技术保护点】
1.一种磁存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的磁存储装置，
3.根据权利要求2所述的磁存储装置，
4.根据权利要求3所述的磁存储装置，
5.根据权利要求2所述的磁存储装置，
6.根据权利要求3所述的磁存储装置，还具备：
7.根据权利要求3所述的磁存储装置，还具备：
8.根据权利要求1所述的磁存储装置，还具备：
9.根据权利要求1所述的磁存储装置，还具备：
10.一种磁存储装置，具备：
11.根据权利要求10所述的磁存储装置，
12.根据权利要求11所述的磁存储装置，
13.根据权利要求11所述的磁存储装置，还具备：
14.根据权利要求11所述的磁存储装置，还具备：
15.一种磁存储装置的制造方法，包括：
16.根据权利要求15所述的磁存储装置的制造方法，还包括：
17.根据权利要求16所述的磁存储装置的制造方法，还包括：
18.根据权利要求17所述的磁存储装置的制造方法，<...
【技术特征摘要】
1.一种磁存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的磁存储装置，
3.根据权利要求2所述的磁存储装置，
4.根据权利要求3所述的磁存储装置，
5.根据权利要求2所述的磁存储装置，
6.根据权利要求3所述的磁存储装置，还具备：
7.根据权利要求3所述的磁存储装置，还具备：
8.根据权利要求1所述的磁存储装置，还具备：
9.根据权利要求1所述的磁存储装置，还具备：
10.一种磁存储装置，具备：
11.根据权利要求10所述的磁存储装置，
...
【专利技术属性】
技术研发人员：安炯祐，李永珉，及川忠昭，矶田大河，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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