【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
1、已知有一种nand型闪速存储器，由存储单元呈三维状排列而成。
技术实现思路
1、实施方式提供一种坏块增加得到抑制的半导体存储装置。
2、实施方式的半导体存储装置包括第1导电体层及多个第2导电体层，所述多个第2导电体层位于所述第1导电体层的上方，且沿着第1方向积层。第1半导体层沿着所述第1方向在所述多个第2导电体层内延伸，且与所述第1导电体层相接。电荷储存层配置在所述第1半导体层与所述多个第2导电体层之间。金属层在所述第1导电体层的上方，沿着所述第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向延伸，且在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向，将所述多个第2导电体层分离。第1绝缘体层配置在所述金属层与所述第1导电体层之间、及所述金属层与所述多个第2导电体层之间。
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具有：
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述分断构造的下端部的所述第3方向的宽度是：小于所述分断构造中与所述多个第2导电体层中的最下层相对向部分的所述第3方向的宽度。
4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述金属层包含钨。
5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述金属层包含氮化钛。
6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述金属层包含钛及氮化钛。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具有：
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述分断构造的下端部的所述第3方向的宽度是：小于所述分断构造中与所述多个第2导电体层中的最下层相对向部分的所述第3方向的宽度。
4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述金属层包含钨。
5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述金属层包含氮化钛。
6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述金属层包含钛及氮化钛。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1绝缘体层的下端位于较所述第1导电体层的上表面更下方。
8.根据权利要求1所述...
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