半导体存储装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号：46511321 阅读：7 留言：0更新日期：2025-09-26 19:30

提供一种能够在接触插塞上容易地形成焊盘的半导体制造装置及其制造方法。本实施方式的半导体存储装置具备：包含晶体管的第一芯片、和包含存储单元阵列的第二芯片。第二芯片具备：与第一芯片贴合的第一面、以及位于与第一面相反的一侧的第二面。触头在第一面与第二面之间延伸，且与存储单元阵列分离地设置。第一布线层设置在触头的第二面侧的第一端的上方，且电连接到触头。第一导电层设置在触头的第一端与第一布线层之间。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本实施方式涉及半导体存储装置及其制造方法。

技术介绍

1、nand型闪速存储器等半导体存储装置有时具有使电路芯片与存储器芯片贴合的构造。在该情况下，有时难以在经由存储器芯片与电路芯片连接的接触插塞上形成焊盘。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利公开第2022/0059481号

5、专利文献2：美国专利公开第2022/0068858号

6、专利文献3：美国专利公开第2022/0077090号

7、专利文献4：美国专利公开第2021/0082877号

8、专利文献5：美国专利登记第11088113号

9、专利文献6：美国专利登记第10026769号

10、专利文献7：美国专利公开第2019/0279952号

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、提供一种能够在接触插塞上容易地形成焊盘的半导体制造装置及其制造方法。

3、用于解决技术问题的手段

4本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

4.根据权利要求2或3所述的半导体存储装置，其中，

5.根据权利要求2或3所述的半导体存储装置，其中，

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体存储装置，其中，

7.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体存储装置，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体存储装置，其中，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体存储装置，其中，