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本发明的实施方式提供一种坏块增加得到抑制的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(1)包括第1导电体层(31)及多个第2导电体层(35)，所述多个第2导电体层(35)位于所述第1导电体层的上方，且沿着第1方向积层。第1半导体层(372)沿...
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