一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体衬底的第一表面上依次形成隔离层和牺牲层，牺牲层用于形成空腔；在牺牲层中形成隔离结构，隔离结构包围牺牲层中用于形成空腔的区域；在牺牲层上形成敏感层薄膜；蚀刻半导体衬底的第二表面以形成贯穿半导体衬底和隔离层的释放通孔，以露出牺牲层；去除牺牲层，以使隔离结构包围的区域形成空腔；填充释放通孔。根据本发明专利技术提供的半导体器件及其制造方法，不仅保证了空腔的尺寸与设计尺寸基本一致，而且避免了释放通孔对压电薄膜整体结构的破坏，降低了制造成本，提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、对于结构中具有空腔的半导体器件，在制造过程中，空腔的尺寸（例如，一维尺寸、面积、体积等）无法精准控制，导致以下问题：（1）当空腔高度过低时，压电薄膜因应力原因引起的翘曲，会接触到空腔底部，导致性能下降甚至功能失效；（2）释放孔贯穿压电薄膜，导致薄膜的不完整性，并对其性能产生一定的影响。

2、针对上述问题，本专利技术提供了一种新的半导体器件及其制造方法。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、本专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

3、提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；

4、在所述半导体衬底的第一表面上依次形成隔离层和牺牲层，所述牺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离结构为大马士革结构或倒L形结构，所述大马士革结构或倒L形结构包括连通的沟槽部分和通孔部分，并且所述通孔部分的宽度小于所述沟槽部分的宽度，形成所述隔离结构的方法包括：

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述释放通孔的位置与所述通孔部分的位置在竖直方向上对应并且与所述沟槽部分的位置在竖直方向上错开，以露出隔离结构包围的牺牲层。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述敏感层薄膜包括压电薄膜。

5.如权利要求4所述的制造方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离结构为大马士革结构或倒l形结构，所述大马士革结构或倒l形结构包括连通的沟槽部分和通孔部分，并且所述通孔部分的宽度小于所述沟槽部分的宽度，形成所述隔离结构的方法包括：

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述释放通孔的位置与所述通孔部分的位置在竖直方向上对应并且与所述沟槽部分的位置在竖直方向上错开，以露出隔离结构包围的牺牲层。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述敏感层薄膜包括压电薄膜。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在形成所述压电薄膜之前还包括形成下电...

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，郭佳惠，高晋文，陆原，王晋，
申请(专利权)人：润芯感知科技南昌有限公司，
类型：发明
国别省市：