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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体衬底的第一表面上依次形成隔离层和牺牲层，牺牲层用于形成空腔；在牺牲层中形成隔离结构，隔离结构包围牺牲层中用于形成空腔的...
该专利属于润芯感知科技（南昌）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过润芯感知科技（南昌）有限公司授权不得商用。

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