一种三维存储阵列、存储器及电子设备制造技术

本申请实施例提供一种三维存储阵列、存储器、存储阵列的形成方法。涉及半导体存储器技术领域。用于提升存储单元的集成密度，简化制备方法。该存储器包括衬底、多个存储层，每一个存储层包括沿与衬底相垂直方向堆叠的第一金属层、第二金属层、第三金属层；第一金属层和第二金属层之间、第二金属层和第三金属层之间均被介质层电隔离开；每一个存储层中的一个存储单元包括晶体管和第一电容器和第二电容器，即就是存储单元中的晶体管、第一电容器和第二电容器被集成在堆叠的第一金属层、第二金属层、第三介质层和介质层中。该存储阵列在实现三维集成的基础上，还可以减小每一个存储单元的面积，以提升集成密度，另外，还不会给工艺提出较大的挑战。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体存储，尤其涉及一种三维存储阵列、包含该三维存储阵列的存储器、三维存储阵列的形成方法，以及包含有该存储器的电子设备。

技术介绍

1、随着集成电路技术的不断演进，计算机，手机等电子设备中芯片上单位面积的晶体管数量不断增加，从而让电子设备的性能得到不断的优化。比如，铁电随机存取存储器(ferroelectric random access memory，feram或fram)。为了适配处理器的运算速度，存储器的读写速度不断的被提升，从而，存储器的存储密度也不断增长，以满足信息时代下人们对于数据处理的需求。

2、随着存储器往更高密度，更大带宽的发展，催生出许多种结构的存储单元，比如，1tnc存储单元，这里的t代表晶体管transistor，c代表电容器capacitor。

3、包含1tnc存储单元的存储阵列实现三维堆叠，已经成为目前高集成度存储器的发展趋势，比如，见图1所示，图1示出的是三维堆叠的存储阵列，其中，包括多个堆叠的存储层c，上述涉及的1tnc存储单元可以被集成在该存储层c中。

4、但是，在一些存储层c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储阵列，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的存储阵列，其特征在于，所述沟道层的一端贯穿所述第三金属层，且所述第二极环绕在所述沟道层的外围。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述沟道层的另一端贯穿所述第二金属层、所述第一介质层和所述第一金属层；

5.根据权利要求1或2所述的存储阵列，其特征在于，位于所述第二介质层中的所述沟道层包括环绕沟道、与所述环绕沟道连接的第一平面沟道和第二平面沟道，所述第一平面沟道与所述第二平面沟道相对且均平行于所述衬底；...

【技术特征摘要】

1.一种存储阵列，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的存储阵列，其特征在于，所述沟道层的一端贯穿所述第三金属层，且所述第二极环绕在所述沟道层的外围。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述沟道层的另一端贯穿所述第二金属层、所述第一介质层和所述第一金属层；

5.根据权利要求1或2所述的存储阵列，其特征在于，位于所述第二介质层中的所述沟道层包括环绕沟道、与所述环绕沟道连接的第一平面沟道和第二平面沟道，所述第一平面沟道与所述第二平面沟道相对且均平行于所述衬底；

6.根据权利要求5所述的存储阵列，其特征在于，每一个所述存储层还包括第三介质层，所述第三介质层堆叠在所述第二介质层的背离所述第三金属层的一侧；

7.根据权利要求1-6中任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述第一电容电极包括环绕在所述栅极外围的环绕电极，和与所述环绕电极连接且与所述衬底相平行布设的平面电极，以使得所述第一电容电极形成与所述衬底相平行的水平接触面，和与所述衬底相垂直的垂直接触面，所述水平接触面和所述垂直接触面上均形成有所述电容层，使得所述电容层形成具有缺口且所述缺口朝向所述栅极的电容结构。

8.根据权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，每一个所述存储层还包括第一电极线，所述第一电容器的所述第二电容电极与所述第一电极线电连接；

9.根据权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，每一个所述存储层还包括第一电极线，所述第一电容器的所述第二电容电极与所述第一电极线电连接；

10.根据权利要求8或9所述的存储阵列，其特征在于，每一个所述存储层还包括第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚亮，孙莹，黄凯亮，王正波，廖恒，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：