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本申请实施例提供一种三维存储阵列、存储器、存储阵列的形成方法。涉及半导体存储器技术领域。用于提升存储单元的集成密度，简化制备方法。该存储器包括衬底、多个存储层，每一个存储层包括沿与衬底相垂直方向堆叠的第一金属层、第二金属层、第三金属层；第一...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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