本发明提供晶体管特性优异的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；栅极电极，设置于第一电极与第二电极之间，沿与连结第一电极与第二电极的第一方向交叉的第二方向延伸；第一绝缘层；第二绝缘层，与第一绝缘层之间...

本实施方式的半导体存储装置具备第一芯片以及第二芯片。第一芯片包含：包含多个第一存储单元的第一存储单元阵列以及与第一存储单元阵列电连接的第一布线层。第二芯片包含：与第一布线层电连接且包含多个第二存储单元的第二存储单元阵列。第一芯片和第二芯...

根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：多个第一接触件，其布置在板状部分的第二方向上的一侧上的阶梯区域中并沿着所述板状部分，且个别地连接到第一阶梯部分中的多个台阶状导电层之间的至少下部导电层；及多个第二接触件，其布置在所述板状部分的所...

本发明涉及存储系统

本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备第1绝缘膜、及配置在第1绝缘膜的配线。配线具有第1导电体、第1膜、第2膜及第3膜。第1导电体包含铜。第1膜设置在第1导电体的侧面及底面，包含钴。第2膜设置在第1导电体的...

根据一个实施方式，半导体存储装置包括位线、源极线、设置在位线和源极线之间并串联连接的第一存储单元和第二存储单元、连接到所述第一存储单元的第一字线、连接到所述第二存储单元的第二字线、以及控制电路。当对所述第一存储单元执行读取操作时，所述控...

本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极，包含金属氧化物；第2电极，包含金属氧化物；氧化物半导体层，位于第1电极与第2电极之间；栅极电极，包围氧化物半导体层；栅极绝缘层，包含硅(Si)及氮(...

实施方式提供特性优异的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：存储单元阵列，其配置有具有氧化物半导体晶体管的多个存储单元；第1绝缘层；第1布线层，设置在存储单元阵列与第1绝缘层之间；第2绝缘层，其在从存储单元阵列朝向第1绝缘层的第...

实施方式提供一种能够适宜地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底，具备第1区域(R

实施方式提供一种能够将多个衬底适当地接合的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法中，在第1衬底形成第1构造。在第1衬底的形成着第1构造的第1主面接合刚性比第1衬底低的支撑衬底而形成第1接合体。从第1接合体去除所述第1衬底。...

实施方式的半导体装置具有：第1芯片，包含第1电极和第2电极；以及第2芯片，包含与第1电极相接的第3电极和与第2电极相接的第4电极，与第1芯片接合，与第1芯片和第2芯片的接合面垂直的第1方向的第1电极的第1厚度比第1方向的第2电极的第2厚...

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备包含第1焊盘的第1配线、及设置在所述第1配线上的第2焊盘。所述第2焊盘与另外的焊盘相接，所述第1焊盘不与另外的焊盘相接。与另外的焊盘相接。与另外的焊盘相接。

实施方式提供一种能够抑制对存储单元施加过度电压的磁性存储装置。实施方式的磁性存储装置具备：多个第1配线，分别沿第1方向延伸；多个第2配线，分别沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸；多个存储单元，连接在所述多个第1配线与所述多个第2配线之间...

实施方式提供一种能将多个衬底适当接合的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法在第1衬底形成第１构造。在第1衬底中形成着第1构造的第1主面接合支撑衬底，形成第1接合体。支撑衬底的刚性高于第1衬底。从第1接合体去除第1衬底。在...

实施方式提供一种抑制存储单元的动作不良的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，具有绝缘层与导电层，且由绝缘层及导电层沿第1方向交替地积层而成；半导体层，贯通绝缘层及导电层；存储器层，在与第1方向...

根据实施例，一种半导体装置包含：第一芯片，其包含衬底；及第二芯片，其在第一表面处接合到所述第一芯片。所述第一芯片及所述第二芯片中的每一者包含元件区及包含芯片端部的端区。所述第一芯片包含布置于所述端区中的所述第一表面上且处于电未耦合状态中...

本发明的课题在于提供能够进行高速的读出动作的存储器系统。用于解决课题的手段是一种存储器系统，其中，具备多个第一布线、多个第二布线、多个存储器单元、第三布线、感测放大器、第一开关元件和第一晶体管。所述第一节点位于比所述第一开关元件靠述感测...

实施方式的半导体装置具备：氧化物半导体层，包含第一区域、第二区域、以及第一区域与第二区域之间的第三区域；栅极电极，与第三区域对置；栅极绝缘层，设置于第三区域与栅极电极之间；第一电极，与第一区域电连接；第二电极，与第二区域电连接；以及p型...

本发明的实施方式提高存储装置的特性

本发明提供半导体装置。本公开的半导体装置具备：具有第1电源端子和第2电源端子的半导体芯片；无源元件，设置在所述半导体芯片上，具有第1电极、设置在所述第1电极上的电介质和设置在所述电介质上的第2电极；将所述第1电源端子与所述第1电极电连接...