存储器系统技术方案

本发明专利技术的课题在于提供能够进行高速的读出动作的存储器系统。用于解决课题的手段是一种存储器系统，其中，具备多个第一布线、多个第二布线、多个存储器单元、第三布线、感测放大器、第一开关元件和第一晶体管。所述第一节点位于比所述第一开关元件靠述感测放大器侧。所述第二节点位于比所述第一开关元件靠述存储器单元侧。在所述第一开关元件为导通状态时，所述第一节点与所述第二节点被连接。在所述第一开关元件截止状态时，所述第一节点与所述栅极端子被连接，根据供给到所述栅极端子的电压，在所述第一节点与所述第一电源线之间流过电流。电流。电流。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统


[0001]本专利技术的实施方式涉及具备存储装置的存储器系统。

技术介绍

[0002]提出了一种存储器系统，其具备在半导体基板上集成了电阻变化型的存储器元件等的存储装置。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利申请公开第2021/0295888号说明书

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]提供能够进行高速的读出动作的存储器系统。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]一个实施方式的存储器系统，其中，具备：多个第一布线，在第一方向上延伸；多个第二布线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，在从第三方向观察时所述第一布线与所述第二布线交叉的位置，在所述第一布线与所述第二布线之间，所述存储器单元与所述第一布线以及所述第二布线连接，所述第三方向相对于包含所述第一方向和所述第二方向的平面垂直；第三布线，能够与所述多个第一布线分别连接；感测放大器，与所述第三布线连接，执行对所述存储器单元的读出动作；第一开关元件，设置于所述多个第一布线与所述第三布线之间；第一晶体管，第一端子与将所述第一布线与所述第三布线连接的布线上的第一节点连接，第二端子与第一电源线连接，栅极端子与将所述第一布线与所述第三布线连接的布线上的第二节点连接；以及控制电路。所述第一节点位于比所述第一开关元件靠述感测放大器侧。所述第二节点位于比所述第一开关元件靠述存储器单元侧。所述控制电路在所述第一开关元件为导通状态时，将所述第一节点与所述第二节点连接，在所述第一开关元件为截止状态时，将所述第一节点与所述第一晶体管的所述栅极端子连接。
附图说明
[0010]图1是表示一个实施方式的存储器系统的整体构成的框图。
[0011]图2是示意地表示一个实施方式的存储器单元的构成的立体图。
[0012]图3是示意地表示一个实施方式的可变电阻元件的构成的剖面图。
[0013]图4是表示一个实施方式的开关元件的电特性的图。
[0014]图5是表示一个实施方式的存储器单元的读出动作时的电特性的图。
[0015]图6是表示一个实施方式的存储器系统所含的判定电路的功能构成的框图。
[0016]图7是用于对一个实施方式的存储器系统的读出动作的原理进行说明的电路图。
[0017]图8是对一个实施方式的存储器系统的读出动作的原理进行说明的图。
[0018]图9是用于对一个实施方式的存储器系统的读出动作的原理进行说明的电路图。
[0019]图10是对一个实施方式的存储器系统的读出动作的原理进行说明的图。
[0020]图11是对一个实施方式的存储器系统的读出动作的原理进行说明的图。
[0021]图12A是一个实施方式的存储器系统的读出动作的电路图。
[0022]图12B是一个实施方式的存储器系统的读出动作的电路图。
[0023]图12C是一个实施方式的存储器系统的读出动作的电路图。
[0024]图12D是一个实施方式的存储器系统的读出动作的电路图。
[0025]图13是一个实施方式的存储器系统的读出动作的定时图表。
[0026]图14是一个实施方式的存储器系统的读出动作的电路图。
[0027]图15A是一个实施方式的存储器系统的读出动作的定时图表。
[0028]图15B是一个实施方式的存储器系统的读出动作的定时图表。
[0029]图16是一个实施方式的存储器系统的读出动作的电路图。
[0030]图17是一个实施方式的存储器系统的读出动作的定时图表。
[0031]图18A是对一个实施方式的存储器系统的读出动作进行说明的电路图。
[0032]图18B是对一个实施方式的存储器系统的读出动作进行说明的电路图。
[0033]图18C是对一个实施方式的存储器系统的读出动作进行说明的电路图。
[0034]图18D是对一个实施方式的存储器系统的读出动作进行说明的电路图。
[0035]图18E是对一个实施方式的存储器系统的读出动作进行说明的电路图。
具体实施方式
[0036]以下，参照附图，对本实施方式的非易失性半导体存储装置具体地进行说明。在以下的说明中，对具有大致相同的功能以及构成的要素标注相同的附图标记，仅在需要的情况下重复进行说明。以下所示的各实施方式例示用于将该实施方式的技术构思具体化的装置、方法。实施方式的技术构思不将构成部件的材质、形状、构造、配置等限定于下述的构成部件的材质、形状、构造、配置。实施方式的技术构思也可以对权利要求施加各种变更。
[0037]在本专利技术的各实施方式中，将从可变电阻元件101朝向开关元件102的方向称作上(on)或者上方(above)。相反，将从开关元件102朝向可变电阻元件101的方向称作下(under)或者下方(below)。如此，为了方便说明，使用上方或者下方这样的语句进行说明，但例如也可以将可变电阻元件101与开关元件102的上下关系配置为与图示相反。在以下的说明中，例如，如上所述，可变电阻元件101的上方的开关元件102这样的表述仅对可变电阻元件101与开关元件102的上下关系进行说明，也可以在可变电阻元件101与开关元件102之间配置有其他部件。上方或者下方是指层叠有多层的构造中的层叠顺序。表述为字线WL的上方的位线BL的情况可以是在俯视时字线WL与位线BL不重叠的位置关系。另一方面，表述为字线WL的铅垂上方的位线BL的情况是指在俯视时字线WL与位线BL重叠的位置关系。
[0038]在本说明书中，只要没有特别说明，“α包含A、B或者C”“α包含A、B以及C中的任一者”“α包含选自A、B以及C中的一个”这样的表述不排除α包含A～C的多个组合的情况。进而，这些表述也不排除α包含其他要素的情况。
[0039]在以下的说明中，“电压”是指两端子间的电位差，但“电压”也有时是指以电压VSS
或者接地电压为基准的电位的情况。
[0040][1.第一实施方式][0041]使用图1～13，对第一实施方式的存储器系统进行说明。例如，第一实施方式的存储器系统1包括排列有多个存储器单元MC的存储器单元阵列10、以及对该存储器单元进行控制的控制电路40。
[0042][1
‑
1.存储器系统的整体构成][0043]使用图1，对第一实施方式的存储器系统的整体构成进行说明。图1是表示一个实施方式的存储器系统的整体构成的框图。如图1所示，存储器系统1包括存储器单元阵列10、字线选择/驱动电路20(WL Selector/Driver)、位线选择/驱动电路30(BL Selector/Driver)以及控制电路40(Controller)。
[0044]在存储器单元阵列10设置有多个存储器单元MC、多个本地字线LWL以及多个本地位线LBL。各本地字线LWL在D1方向上延伸。各本地位线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器系统，其中，具备：多个第一布线，在第一方向上延伸；多个第二布线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，在从第三方向观察时所述第一布线与所述第二布线交叉的位置，在所述第一布线与所述第二布线之间，所述存储器单元与所述第一布线以及所述第二布线连接，所述第三方向相对于包含所述第一方向和所述第二方向的平面垂直；第三布线，能够与所述多个第一布线分别连接；感测放大器，与所述第三布线连接，执行对所述存储器单元的读出动作；第一开关元件，设置于所述多个第一布线与所述第三布线之间；第一晶体管，第一端子与将所述第一布线与所述第三布线连接的布线上的第一节点连接，第二端子与第一电源线连接，栅极端子与将所述第一布线与所述第三布线连接的布线上的第二节点连接；以及控制电路，所述第一节点位于比所述第一开关元件靠述感测放大器侧，所述第二节点位于比所述第一开关元件靠述存储器单元侧，所述控制电路，在所述第一开关元件为导通状态时，将所述第一节点与所述第二节点连接，在所述第一开关元件为截止状态时，将所述第一节点与所述第一晶体管的所述栅极端子连接。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，根据供给到所述第一晶体管的所述栅极端子的电压，在所述第一节点与所述第一电源线之间流过电流。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述控制电路，在读出动作时，将连接于作为读出动作的对象的所述存储器单元的所述第一布线与所述第一晶体管的所述栅极端子连接，基于所述第一开关元件被控制为截止状态时的所述第一节点的电压，对所述存储器单元的状态进行判断。4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，所述控制电路，将所述第一开关元件控制为导通状态，将第一电压供给到所述第一布线以及所述第三布线，将所述第一开关元件切换为截止状态，向所述第三布线供给比所述第一电压低的第二电压。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山明，初田幸辅，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：