半导体存储装置制造方法及图纸

技术编号：41327194 阅读：5 留言：0更新日期：2024-05-13 15:04

实施方式提供一种能够提高动作性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：绝缘层(80)，设置在衬底上；导电层(35_3)，设置在绝缘层(80)内；导电层(35_4)，在绝缘层(80)内与导电层(35_3)相邻而设；及通孔(36)，连接于导电层(35_3)的上表面。在与衬底正交的Z方向上与通孔(36)重叠的导电层(35_3)、(35_4)的上表面比绝缘层(80)的上表面低。

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【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

1、已知有三维排列着存储单元的半导体存储装置。

技术实现思路

1、实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体存储装置。

2、实施方式的半导体存储装置具备：第1绝缘层，设置在衬底上；第1导电层，设置在所述第1绝缘层内；第2导电层，在所述第1绝缘层内与所述第1导电层相邻而设；及接触插塞，连接于所述第1导电层的上表面；且在与所述衬底正交的第1方向上与所述接触插塞重叠的所述第1及第2导电层的上表面比所述第1绝缘层的上表面低。

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其还具备内部包含所述多个位线的第1绝缘层；

9.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述第2位线与所述接触插塞之间的第2绝缘层。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

11.一种半导体存储装置，具备：

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其中

13.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其中

14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中

【技术特征摘要】