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实施方式提供一种能够提高动作性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：绝缘层(80)，设置在衬底上；导电层(35_3)，设置在绝缘层(80)内；导电层(35_4)，在绝缘层(80)内与导电层(35_3)相邻而设；及通孔(36)，连...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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