【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本实施方式涉及半导体存储装置。
技术介绍
1、已知一种半导体存储装置，具备：基板、在与基板的表面交叉的第1方向上排列的多个导电层、在第1方向上延伸且与多个导电层对置的半导体层、以及设置于多个导电层与半导体层之间的电荷积蓄层。
2、现有技术文献：
3、专利文献：
4、专利文献1：日本特许第6581019号说明书
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、提供高速动作的半导体存储装置。
3、用于解决课题的手段
4、一个实施方式所涉及的半导体存储装置具备：基板、包括第1导电层及第2导电层的第1布线层、设置于基板与第1布线层之间的第2布线层、以及设置于基板与第2布线层之间的存储器单元阵列层。存储器单元阵列层具备：多个第3导电层，在与基板的表面交叉的第1方向上排列；半导体层，在第1方向上延伸且与多个第3导电层对置；以及电荷积蓄层，设置于多个第3导电层与半导体层之间。第2布线层具备：第4导电层，与半导体层的第1方向上的一端部连接；以及第5导电层，与第1导电层对置且与第2导电层电连接。
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其中，具备：
2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
3.如权利要求1或者2所述的半导体存储装置，其中，
4.一种半导体存储装置，其中，具备：
5.如权利要求1～4中任1项所述的半导体存储装置，其中，
6.如权利要求1～5中任1项所述的半导体存储装置，其中，
7.如权利要求1～6中任1项所述的半导体存储装置，其中，
8.如权利要求1～7中任1项所述的半导体存储装置，其中，
9.如权利要求1～8中任1项所述的半导体存储装置，其中，
10.如权利要求1～9中任1项所述的半导体存储装置，其中，
11.如权利要求1～10中任1项所述的半导体存储装置，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体存储装置，其中，具备：
2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
3.如权利要求1或者2所述的半导体存储装置，其中，
4.一种半导体存储装置，其中，具备：
5.如权利要求1～4中任1项所述的半导体存储装置，其中，
6.如权利要求1～5中任1项所述的半导体存储装置，其中，
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。