【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体集成器件的制造方法。
技术介绍
1、目前，无论是闪存器件、bcd集成器件还是sonos型存储器件，其均包括高压器件、低压器件以及中压器件。而所述高压器件、低压器件或中压器件则具体形成在不同导电类型的阱中。
2、在现有技术中，可先利用光阻的曝光显影，依次打开基底的部分区域，然后在利用离子注入工艺，在基底的不同区域上依次形成p型阱或n型阱。
3、然而，由于在基底内形成前一p型阱或n型阱的过程中，需要去除该p型阱或n型阱对应基底上的保护层，之后再次形成光阻，并重复执行所述曝光显影、离子注入工艺，以在基底的另一区域形成后一n型阱或p型阱，而在该过程中，再次形成的光阻会直接覆盖在前一p型阱或n型阱所暴露出的基底上，这将势必造成与基底的粘粘性不足的光阻在后一n型阱或p型阱的制备过程中出现脱落的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体集成器件的制造方法，以解决基底与光阻直接接触而导致在后续形成第二导电阱的过程中，第二...
【技术保护点】
1.一种半导体集成器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述基底进行的所述预处理包括灰化工艺、热氧化工艺以及快速退火工艺中的至少一种。
3.如权利要求2所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述光阻粘接层的材料包括氧化物，所述氧化物包括二氧化硅。
4.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述保护层在沿垂直于所述基底的方向上的厚度范围为：
5.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述光阻粘接层在沿垂直于所述基底的方向上的
...【技术特征摘要】
1.一种半导体集成器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述基底进行的所述预处理包括灰化工艺、热氧化工艺以及快速退火工艺中的至少一种。
3.如权利要求2所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述光阻粘接层的材料包括氧化物，所述氧化物包括二氧化硅。
4.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述保护层在沿垂直于所述基底的方向上的厚度范围为：
5.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述光阻粘接层在沿垂直于所述基底的方向上的厚度范围为：
6.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述第一导电阱和所述第二导电阱的导电类型相反。
7.如权利要求6所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述第一导电阱上相应形成的半导体器件的工作电压和所述第二导电阱的上相应形成的半导体器件的工作电压相同。
8.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：张连宝，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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