半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、位线结构、间隙壁以及隔离结构。衬底包括单元区和周边区。位线包括分别位在单元区和周边区的第一位线和第二位线，第二位线位于第一位线的短端部一侧。间隙壁设置在第一位线和第二位线之间且分别物理性接触第一位线和第二位线。隔离结构分别设置在衬底上，其中，隔离结构同时覆盖部分的第一位线、部分的第二位线以及部分的间隙壁。如此，通过隔离结构的设置在衬底的单元区和周边区达到不同的隔绝效果，有利于提升半导体器件的结构可靠性，进而增进其操作表现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及其制作方法，尤其是涉及一种包括位线以及侧壁结构的半导体器件及其制作方法。

技术介绍

1、随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,dram)单元的设计也必须符合高集成度及高密度之要求。对于一具备凹入式闸极结构之dram单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构之dram单元。一般来说，具备凹入式闸极结构之dram单元会包括一晶体管组件与一电荷存储器件，以接收来自位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术之故，现有具备凹入式闸极结构之dram单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器装置的效能及可靠度。

技术实现思路

1、本专利技术之一目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，是在半导体器件的周边区(periphery region)及单元区(cell region)内分别设置延伸长度不同及/或贯本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上贯穿各所述第二位线。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二位线包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的绝缘层，所述第一位线包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的半导体层、阻障层、导电层及盖层，其中所述隔离结构物理性接触所述第一位线的所述导电层的顶面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构同时物理性接触所述第一位线和第二位线的侧壁以及所述间隙壁的侧壁和顶面。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上贯穿各所述第二位线。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二位线包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的绝缘层，所述第一位线包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的半导体层、阻障层、导电层及盖层，其中所述隔离结构物理性接触所述第一位线的所述导电层的顶面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构同时物理性接触所述第一位线和第二位线的侧壁以及所述间隙壁的侧壁和顶面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构的上部宽度大于下部宽度。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在所述第三方向上贯穿所述虚置位线的所述第四位线。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述虚置位线的所述第四位线和所述位线的所述第二位线在所述第二方向上彼此相连。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第三位线还包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的半导体层、阻障层、导电层及盖层，至少一所述隔离结构物理性接触所述第三位线的所述导电层的顶面。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构呈现长条状或环状。

11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，张钦福，许艺蓉，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：

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