【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件及其制作方法，尤其是涉及一种包括位线以及侧壁结构的半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,dram)单元的设计也必须符合高集成度及高密度之要求。对于一具备凹入式闸极结构之dram单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构之dram单元。一般来说，具备凹入式闸极结构之dram单元会包括一晶体管组件与一电荷存储器件，以接收来自位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术之故，现有具备凹入式闸极结构之dram单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器装置的效能及可靠度。
技术实现思路
1、本专利技术之一目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，是在半导体器件的周边区(periphery region)及单元区(cell region)内分别设置延伸长度不同及/或贯穿组件的材质不同的隔离结构，以达到不同的隔绝效果，有利于提升半导体器件的结构可靠性，进而增进其操作表现。
2、为达上述目的，本专利技术之一实施例提供一种半导体器件，其包括衬底、位线、间隙壁以及隔离结构。所述衬底包括单元区和周边区。所述位线分别在第一方向延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向排列设置在所述衬底上。各所述位线包括分别位在所述单元区和所述周边区的第一位线和第
3、为达上述目的，本专利技术之一实施例提供一种半导体器件的制作方法，其包括以下步骤：提供衬底，包括单元区和周边区。在所述衬底上形成多条位线，分别在第一方向延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向排列设置在所述衬底上，各所述位线包括分别位在所述单元区和所述周边区的第一位线和第二位线，其中，所述第二位线位于所述第一位线的短端部一侧。在所述第一位线和所述第二位线之间形成间隙壁，所述间隙壁分别物理性接触所述第一位线和所述第二位线。在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构分别在所述第二方向延伸在所述衬底上，其中，所述隔离结构在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上同时覆盖部分的所述第一位线、部分的所述第二位线以及部分的所述间隙壁。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上贯穿各所述第二位线。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二位线包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的绝缘层，所述第一位线包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的半导体层、阻障层、导电层及盖层，其中所述隔离结构物理性接触所述第一位线的所述导电层的顶面。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构同时物理性接触所述第一位线和第二位线的侧壁以及所述间隙壁的侧壁和顶面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构的上部宽度大于下部宽度。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在所述第三方向上贯穿所述虚置位线的所述第四位线。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述虚置位线的所述第四位线和所述位线的所述第二位线在所述第二
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第三位线还包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的半导体层、阻障层、导电层及盖层，至少一所述隔离结构物理性接触所述第三位线的所述导电层的顶面。
10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构呈现长条状或环状。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在所述第一方向上的短端部位在所述虚置位线内。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在所述第二方向上的短端部位在所述虚置位线远离所述位线的一侧。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在所述第二方向上同时穿过各所述位线的所述第二位线，及部分穿过所述虚置位线的所述第四位线。
14.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述隔离结构在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上贯穿各所述第二位线。
16.根据权利要求15所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述隔离结构还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：
18.根据权利要求17所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述虚置位线的所述第四位线和各所述位线的所述第二位线在所述第二方向上彼此相连，所述沟道在所述第二方向上还部分穿过所述虚置位线的所述第四位线。
19.根据权利要求17所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述虚置位线的所述第四位线和各所述位线的所述第二位线在所述第二方向上彼此相连，所述沟道在所述第二方向上还穿过所述虚置位线的所述第四位线。
20.根据权利要求16所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩模图案具有一环状或一长条状。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上贯穿各所述第二位线。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二位线包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的绝缘层，所述第一位线包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的半导体层、阻障层、导电层及盖层，其中所述隔离结构物理性接触所述第一位线的所述导电层的顶面。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构同时物理性接触所述第一位线和第二位线的侧壁以及所述间隙壁的侧壁和顶面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构的上部宽度大于下部宽度。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构在所述第三方向上贯穿所述虚置位线的所述第四位线。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述虚置位线的所述第四位线和所述位线的所述第二位线在所述第二方向上彼此相连。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第三位线还包括在所述第三方向上设置在所述衬底上的半导体层、阻障层、导电层及盖层，至少一所述隔离结构物理性接触所述第三位线的所述导电层的顶面。
10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构呈现长条状或环状。
11.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，张钦福，许艺蓉，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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