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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、位线结构、间隙壁以及隔离结构。衬底包括单元区和周边区。位线包括分别位在单元区和周边区的第一位线和第二位线，第二位线位于第一位线的短端部一侧。间隙壁设置在第一位线和第二位线之间且分别物理性接触...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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