【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电，具体涉及一种薄膜的制备方法、光电器件与电子设备。
技术介绍
1、薄膜是指由原子、分子或离子中的至少一种沉积于基板表面而形成的二维材料，薄膜的材料可以是有机化合物以及无机化合物中的至少一种。薄膜的种类包括但不限于是光学薄膜和半导体薄膜，薄膜被广泛应用于电子、机械、印刷等领域。
2、薄膜在极端环境下的稳定性影响着包含薄膜的产品的性能稳定性，极端环境例如可以是水氧含量高的高湿度环境，高湿度环境可能对产品的性能造成不可逆的负面影响。因此，如何提高薄膜在极端环境下的性能稳定性对薄膜的应用与发展具有重要意义。
技术实现思路
1、本申请提供了一种薄膜的制备方法、光电器件与电子设备，以改善薄膜在极端环境下的性能稳定性。
2、本申请的技术方案如下：
3、第一方面，本申请提供了一种薄膜的制备方法，包括步骤：
4、提供基板，在所述基板的一侧施加包含薄膜材料的溶液，以形成湿膜；以及
5、对所述湿膜进行干燥处理以形成固化膜，以用于形成所述薄膜；
6、其中，在所述薄膜的形成过程中，在第一预设时间段内，对位于所述基板的一侧的所述薄膜材料进行第一离子束轰击，以及在第二预设时间段内，对位于所述基板的一侧的所述薄膜材料进行第二离子束轰击；所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击中的一者为氢离子束轰击，另一者为氧离子束轰击。
7、可选地，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之后进行。p>
8、可选地，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述形成湿膜的步骤之后且在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之前进行。
9、可选地，所述包含薄膜材料的溶液的浓度为20mg/ml至50mg/ml；
10、和/或，所述薄膜的厚度为25nm至50nm；
11、和/或，所述第一预设时间段为20毫秒至50秒；
12、和/或，所述第二预设时间段为20毫秒至50秒；
13、和/或，所述干燥处理的时间为5分钟至60分钟。
14、可选地，所述氢离子束轰击为连续式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，所述氢离子束轰击的处理时间为20ms至60ms；或者，所述氢离子束轰击为间断式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，每次氢离子束轰击时间为20ms至60ms，相邻两次氢离子束轰击时间的间隔为2s至5s，氢离子束轰击的次数为2次至10次；
15、和/或，所述氧离子束轰击为连续式处理，所述氧离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，所述氧离子束轰击的处理时间为20ms至60ms；或者，所述氧离子束轰击为间断式处理，所述氧离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，每次氧离子束轰击时间为20ms至60ms，相邻两次氧离子束轰击的间隔为2s至5s，氧离子束轰击的轰击次数为2次至10次。
16、可选地，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击无重叠处理的时间段。
17、可选地，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击依照先后顺序分别进行；
18、或者，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击交替进行。
19、可选地，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击存在至少部分重叠处理的时间段。
20、第二方面，本申请提供了一种光电器件，包括：
21、阳极；
22、阴极，与所述阳极相对设置；以及
23、功能层，设置于所述阳极与所述阴极之间；
24、其中，所述功能层中的至少一种膜层采用如第一方面中任意一种所述薄膜的制备方法制得。
25、可选地，所述光电器件为正置型结构，至少与所述阴极相邻的膜层采用如第一方面中任意一种所述薄膜的制备方法制得；
26、或者，所述光电器件为倒置型结构，至少与所述阳极相邻的膜层采用如第一方面中任意一种所述薄膜的制备方法制得。
27、可选地，所述功能层包括发光层，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
28、其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpa荧光材料、tbrb荧光材料或dbp荧光材料中的至少一种；
29、所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete或snpbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2或agins2中的至少一种；
30、和/或，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物材料中的至少一种，所述金属选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca或mg中的至少一种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物材料选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种。
31、可选地，所述功能层还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之后进行。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述形成湿膜的步骤之后且在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之前进行。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述溶液中，所述包含薄膜材料的溶液的浓度为20mg/mL至50mg/mL；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击为连续式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1keV至10keV，所述氢离子束轰击的处理时间为20ms至60ms；或者，所述氢离子束轰击为间断式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1keV至10keV，每次氢离子束轰击时间为20ms至60ms，相邻两次氢离子束轰击时间的间隔为2s至5s，氢离子束轰击的次数为2次至10次；
6.根据权利要求1至5任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击无
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击依照先后顺序分别进行；
8.根据权利要求1至5任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击存在至少部分重叠处理的时间段。
9.一种光电器件，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为正置型结构，至少与所述阴极相邻的膜层采用如权利要求1至8任一项中所述的制备方法制得；
11.根据权利要求9或10所述的光电器件，其特征在于，所述功能层包括发光层，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；
12.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，所述功能层还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层更靠近所述发光层；
13.根据权利要求12所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、C60、NiO、MoO3、WO3、V2O5、CrO3、CuO或P型氮化镓中的至少一种；
14.根据权利要求13所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层的材料还包括丙三醇，在所述电子传输层中，所述金属氧化物：丙三醇的质量比为1：(0.01～0.1)；
15.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9至14任一项中所述的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之后进行。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述形成湿膜的步骤之后且在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之前进行。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述溶液中，所述包含薄膜材料的溶液的浓度为20mg/ml至50mg/ml；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击为连续式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，所述氢离子束轰击的处理时间为20ms至60ms；或者，所述氢离子束轰击为间断式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，每次氢离子束轰击时间为20ms至60ms，相邻两次氢离子束轰击时间的间隔为2s至5s，氢离子束轰击的次数为2次至10次；
6.根据权利要求1至5任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击无重叠处理的时间段。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击依照先后顺序分别进行；
8.根据权利要求1至5任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击存在至少部分重叠处理的时间段。
9.一种光电器件，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为正置型结构，至少与所述阴极相邻的膜层采用如权利要求1至8任一项中所述的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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