本发明专利技术提供复合材料、发光器件及其制备方法、显示装置，涉及光电领域。本发明专利技术提供复合材料，复合材料包括空穴传输材料以及电压稳定剂；其中，电压稳定剂包括取代的芳香酮，芳香酮的至少一个取代基为供电子基团。本发明专利技术提供的复合材料的电子亲和能力较高，且该复合材料的电荷传输效率高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电，具体涉及一种复合材料、包含其的发光器件、所述发光器件的制备方法和显示装置。
技术介绍
1、发光器件主要依靠电子空穴对的相向运动相互作用而工作，因此电子空穴对的传输平衡对于发光器件而言非常重要，若空穴传输层的材料不能保证足够的空穴注入，则器件中电子会大量聚集从而向空穴传输层泄漏，电子聚集过多导致器件电场分布不均匀，对空穴传输层造成难以逆转的损害，导致器件不稳定或者失效，效率和寿命也会随之降低。
2、现有技术常通过限制电子注入的方式来实现发光器件电子空穴对的传输平衡，避免多余的电子对空穴传输层造成破坏，但是限制电子注入会导致器件效率的降低。
技术实现思路
1、本申请的至少一实施例提供了一种复合材料，所述复合材料包括空穴传输材料以及电压稳定剂；
2、其中，所述电压稳定剂包括取代的芳香酮，所述芳香酮的至少一个取代基为供电子基团。
3、可选的，所述供电子基团包括羟基、烷氧基、苯氧基、苄氧基、酰氧基中的一种或多种。
4、可选的，所述电压稳定剂包括取代的具有2～5个苯环结构的芳香酮，所述具有2～5个苯环结构的芳香酮包括4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮、2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮、4'-苯氧基苯乙酮、4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮、5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)、4-羟基-4'-苯氧基二苯甲酮中的一种或多种。
5、可选的，所述电压稳定剂与所述空穴传输材料的质量比为1：2～20。
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p>6、可选的，所述空穴传输材料包括tfb、cupc、pvk、poly-tpd、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot:pss、tapc、mcc、f4-tcnq、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及c60中的至少一种。7、相应的，本专利技术还提供一种发光器件，所述发光器件包括阴极、阳极、发光层、空穴传输层，所述空穴传输层的材料上述复合材料。
8、可选的，所述阳极和所述阴极的材料分别独立包括金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一种或多种；和/或
9、所述发光层的材料包括有机发光材料和量子点发光材料中的一种或多种，所述有机发光材料包括4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别包括ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种；所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种；所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种；所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种；所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料包括掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，包括cl-、br-、i-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，包括ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，包括cl-、br-、i-中的至少一种。
10、可选的，所述发光器件还包括位于所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括tfb、cupc、pvk、poly-tpd、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot:pss、tapc、mcc、f4-tcnq、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及c60中的至少一种；和/或
11、所述发光器件还包括位于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层，所述电子传输层和/或所本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括空穴传输材料以及电压稳定剂；
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述供电子基团包括羟基、烷氧基、苯氧基、苄氧基、酰氧基中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述电压稳定剂包括取代的具有2～5个苯环结构的芳香酮，所述具有2～5个苯环结构的芳香酮包括4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮、2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮、4'-苯氧基苯乙酮、4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮、5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)、4-羟基-4'-苯氧基二苯甲酮中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述电压稳定剂与所述空穴传输材料的质量比为1：2～20。
5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述空穴传输材料包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种。
6.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括阴极、阳极、发光层、空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括权利要求1～5任一项所述的复合材料。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
9.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述发光器件预制件上沉积所述成膜溶液之后，在形成所述空穴传输层之前，还包括：对所述成膜溶液所形成的膜层紫外光照射2～10min。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，将所述复合材料沉积在所述发光器件预制件上包括：
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，
13.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括权利要求6-8任意一项所述的发光器件，或者，所述显示装置包括由权利要求9-12任意一项所述的制备方法制得的发光器件。
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【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括空穴传输材料以及电压稳定剂；
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述供电子基团包括羟基、烷氧基、苯氧基、苄氧基、酰氧基中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述电压稳定剂包括取代的具有2～5个苯环结构的芳香酮，所述具有2～5个苯环结构的芳香酮包括4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮、2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮、4'-苯氧基苯乙酮、4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮、5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)、4-羟基-4'-苯氧基二苯甲酮中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述电压稳定剂与所述空穴传输材料的质量比为1：2～20。
5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述空穴传输材料包括tfb、cupc、pvk、poly-tpd、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot:pss、tapc、mcc、f4-tcnq、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基...
【专利技术属性】
技术研发人员：田鹍飞，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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