量子点发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置。所述量子点发光器件的制备方法包括如下步骤：提供衬底；在衬底上形成底电极；在底电极上形成空穴功能层；在空穴功能层上形成量子点发光层；在量子点发光层上形成第一封装体，得到预制器件；对预制器件进行烘烤处理或通电处理；去除第一封装体；在去除第一封装体之后，在量子点发光层上形成电子功能层；以及在电子功能层上形成顶电极。本申请改善了现有QLED器件中电子过量的问题，提升了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，具体涉及一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

1、以量子点作为发光层材料的量子点发光二级管(quantum dot light-emittingdiodes,qled)因其具有低成本、高亮度、广色域、优异的可溶液加工等诸多优点受到了产学研界的广泛关注，成为极具潜力的下一代新型显示技术。

2、qled显示技术是在有机发光二级管(organic light-emitting diode,oled)技术上发展起来的，qled器件结构、功能层的选择以及载流子平衡理论基本沿用了oled的已有理论。然而，现有qled器件受限于空穴传输材料与发光层注入势垒较大、空穴传输材料迁移率过低、电子传输材料迁移率过高等问题，使得qled器件自身存在空穴注入不足及电子注入过量的情况，过量电子的存在容易引发量子点材料自身发光，进而出现老化降解的问题，进而不利于高性能qled器件的制备。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置，以解决现有qled器件中电子过量本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，在所述电子功能层上形成顶电极的步骤之后，还包括：在所述顶电极上形成第二封装体，得到所述量子点发光器件；其中，在形成所述第二封装体之后，不进行烘烤处理或通电处理。

3.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，在所述对所述预制器件进行烘烤处理的步骤中，所述烘烤处理的温度为60℃-200℃；和/或，所述烘烤处理的时间为1min-48h；

4.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，对所述预制器件进行通...

【技术特征摘要】

1.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，在所述电子功能层上形成顶电极的步骤之后，还包括：在所述顶电极上形成第二封装体，得到所述量子点发光器件；其中，在形成所述第二封装体之后，不进行烘烤处理或通电处理。

3.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，在所述对所述预制器件进行烘烤处理的步骤中，所述烘烤处理的温度为60℃-200℃；和/或，所述烘烤处理的时间为1min-48h；

4.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，对所述预制器件进行通电处理的步骤之前，在所述量子点发光层上形成第一封装体的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电层的厚度小于或等于所述顶电极的厚度的二分之一；和/或

6.根据权利要求4所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述顶电极的厚度为40nm-190nm，所述导电层的厚度为20nm-90nm；和/或

7.根据权利要求4所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述通电处理的通电电流为0.5ma-4ma；和/或所述通电处理的时间为1min-24h。

8.根据权利要求1所述的量子...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂志文，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：