【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种鳍状结构上的电容及其制作方法，特别是涉及一种在鳍状结构上形成平板电容的方法。
技术介绍
1、金属氧化物半导体电容(mos capacitor)用于许多应用，例如模拟滤波器、运算转导放大器(operational transconductance amplifier)结合电容的电路元件。一般而言，金属氧化物半导体电容的制作工艺包含：在基底上形成电容介电层和电极，为了维持电容值的稳定，也就是希望在不同电压下，金属氧化物半导体电容依然有相同的电容值，需要在基底中注入高浓度的掺质，然而高浓度的掺质却容易引起电容介电层的击穿，特别是在鳍状结构中，为了要形成金属氧化物半导体电容配合高浓度的掺质注入于鳍状结构，不但会对鳍状结构造成损伤，还会使电容介电层更容易击穿。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种鳍状结构上的电容及其制作方法，以解决上述问题。
2、根据本专利技术的一优选实施例，一种鳍状结构上的电容包含一鳍状结构，一介电层覆盖鳍状结构，一第一电极延伸部埋入于鳍状结构，一第一电极穿透介电层并且接触第一电极延伸部，一第二电极设置于介电层中以及一电容介电层设置于介电层中并且电容介电层环绕第二电极，其中电容介电层位于第二电极和第一电极延伸部之间。
3、根据本专利技术的另一优选实施例，一种鳍状结构上的电容的制作方法包含提供一鳍状结构，其中一第一电极延伸部埋入于鳍状结构，一介电层覆盖鳍状结构，接着形成一第一电极穿透介电层并且接触第一电极延伸部，然后形成
4、根据本专利技术的另一优选实施例，一种鳍状结构上的电容以及插塞的制作方法包含提供一鳍状结构，鳍状结构划分为一晶体管区和一电容区，其中一晶体管设置在晶体管区，晶体管包含一栅极设置于鳍状结构上，两个源极/漏极掺杂区埋入栅极两侧的鳍状结构中，一第一电极延伸部埋入于电容区内的鳍状结构中，一介电层覆盖晶体管区和电容区，然后进行一第一蚀刻，第一蚀刻包含蚀刻介电层形成两个第一接触洞和一个第二接触洞，其中各个第一接触洞分别曝露出两个源极/漏极掺杂区的其中之一，第二接触洞曝露出第一电极延伸部，之后形成一缓冲层覆盖第一接触洞和第二接触洞，接着形成一第一金属层填入第一接触洞和第二接触洞，其中第一金属层接触缓冲层，接续进行一第二蚀刻，第二蚀刻包含蚀刻介电层形成一第三接触洞，其中第一电极延伸部由第三接触洞曝露出来，再形成一电容介电层覆盖第三接触洞并且接触第一电极延伸部，最后形成一第二金属层填入第三接触洞。
5、为让本专利技术的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制者。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种鳍状结构上的电容，包含：
2.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，其中该第一电极延伸部包含掺杂区或外延层。
3.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，其中该第一电极包含金属层和缓冲层。
4.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，还包含多个该第一电极设置于该介电层中，并且各该第一电极穿透该介电层并且接触该第一电极延伸部，各该第一电极互不接触。
5.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，还包含多个该第二电极和多个该电容介电层设置在该介电层中，各该第二电极各自被该多个电容介电层的其中之一环绕。
6.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，其中第一方向平行于该鳍状结构的上表面，沿着该第一方向，该第一电极和该第二电极之间没有设置栅极。
7.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，其中该电容介电层接触该第一电极。
8.一种鳍状结构上的电容的制作方法，包含：
9.如权利要求8所述的鳍状结构上的电容的制作方法，其中该第一电极延伸部包含掺杂区或外延层。
10.如权利要求8所述的鳍状结构上的电容的制
11.如权利要求8所述的鳍状结构上的电容的制作方法，其中第一方向平行于该鳍状结构的上表面，沿着该第一方向，该第一电极和该第二电极之间没有设置栅极。
12.一种鳍状结构上的电容以及插塞的制作方法，包含：
13.如权利要求12所述的鳍状结构上的电容以及插塞的制作方法，还包含上盖层设置在该栅极上，在该第一蚀刻之后以及形成该缓冲层之前，蚀刻该介电层和该上盖层以形成第四接触洞，该栅极由该第四接触洞曝露，其中该第一金属层填入该第四接触洞。
14.如权利要求12所述的鳍状结构上的电容以及插塞的制作方法，还包含：在形成该第一金属层之后以及进行该第二蚀刻之前，进行平坦化制作工艺以移除在该两个第一接触洞和该第二接触洞之外的该缓冲层和该第一金属层。
15.如权利要求12所述的鳍状结构上的电容以及插塞的制作方法，还包含：在形成该第二金属层之后，进行平坦化制作工艺以移除在该第三接触洞之外的该第二金属层和该电容介电层。
16.如权利要求12所述的鳍状结构上的电容以及插塞的制作方法，其中第一方向平行于该鳍状结构的上表面，沿着该第一方向，该第三接触洞和该第二接触洞之间没有设置栅极。
17.如权利要求12所述的鳍状结构上的电容以及插塞的制作方法，其中该第一电极延伸部包含掺杂区或外延层。
...【技术特征摘要】
1.一种鳍状结构上的电容，包含：
2.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，其中该第一电极延伸部包含掺杂区或外延层。
3.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，其中该第一电极包含金属层和缓冲层。
4.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，还包含多个该第一电极设置于该介电层中，并且各该第一电极穿透该介电层并且接触该第一电极延伸部，各该第一电极互不接触。
5.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，还包含多个该第二电极和多个该电容介电层设置在该介电层中，各该第二电极各自被该多个电容介电层的其中之一环绕。
6.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，其中第一方向平行于该鳍状结构的上表面，沿着该第一方向，该第一电极和该第二电极之间没有设置栅极。
7.如权利要求1所述的鳍状结构上的电容，其中该电容介电层接触该第一电极。
8.一种鳍状结构上的电容的制作方法，包含：
9.如权利要求8所述的鳍状结构上的电容的制作方法，其中该第一电极延伸部包含掺杂区或外延层。
10.如权利要求8所述的鳍状结构上的电容的制作方法，其中该第一电极包含金属层和缓冲层。
11.如权利要求8所述的鳍状结构上的电容的制作...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈信宇，林俊豪，庄媛婷，谢守伟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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