光掩模结构、半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种光掩模结构、半导体结构及其制造方法。上述光掩模结构包括第一布局图案与第二布局图案。第二布局图案位于第一布局图案的一侧。第一布局图案与第二布局图案彼此分离。第一布局图案具有彼此相对的第一边与第二边。第二布局图案具有彼此相对的第三边与第四边。第二布局图案的第三边邻近于第一布局图案的第一边。第二布局图案包括超出第一布局图案的末端的第一延伸部。第一延伸部包括突出于第二布局图案的第三边的第一突出部。第一突出部超出第一布局图案的第一边。上述光掩模结构可防止由光刻工艺所形成的光刻胶图案发生变形的问题，进而提升半导体工艺的工艺裕度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光掩模结构、半导体结构及其制造方法，尤其涉及一种可提升半导体工艺的工艺裕度(process window)的光掩模结构、半导体结构及其制造方法。

技术介绍

1、在半导体工艺中，光刻技术扮演着举足轻重的角色。然而，由光刻工艺所形成的光刻胶图案常会发生变形(如，颈缩(necking)、线端缩短(line end shortening)或线端缩小(line end shrinkage))的问题。因此，如何发展出可以防止由光刻工艺所形成的光刻胶图案发生变形的光掩模为持续努力的目标。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种光掩模结构，其可防止由光刻工艺所形成的光刻胶图案发生变形的问题，进而提升半导体工艺的工艺裕度。

2、本专利技术提供一种半导体结构及其制造方法，其可防止半导体结构中的图案发生变形的问题，进而提升半导体工艺的工艺裕度。

3、本专利技术提出一种光掩模结构，包括第一布局图案与第二布局图案(layoutpattern)。第二布局图案位于第一布局图案的一侧。第一布局图案与第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光掩模结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一突出部具有第五边，且所述第一突出部的所述第五边远离所述第二布局图案的所述第三边。

3.根据权利要求2所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一突出部的所述第五边与所述第一布局图案的所述第二边齐平。

4.根据权利要求1所述的光掩模结构，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一布局图案、所述第二布局图案与所述第三布局图案彼此分离。

6.根据权利要求4所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一突出部与所述第三布...

【技术特征摘要】

1.一种光掩模结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一突出部具有第五边，且所述第一突出部的所述第五边远离所述第二布局图案的所述第三边。

3.根据权利要求2所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一突出部的所述第五边与所述第一布局图案的所述第二边齐平。

4.根据权利要求1所述的光掩模结构，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一布局图案、所述第二布局图案与所述第三布局图案彼此分离。

6.根据权利要求4所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一突出部与所述第三布局图案之间的间距大于或等于设计规则所规定的最小间距。

7.根据权利要求1所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一突出部与所述第一布局图案之间的间距大于或等于设计规则所规定的最小间距。

8.根据权利要求1所述的光掩模结构，其特征在于，所述第一突出部还超出所述第一布局图案的所述第二边。

9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二突出部具有第九边，且所述第二突出部的所述第九边远离所述第二图案的所述第七边。

11.根据权利要求10所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘健恒，黄家纬，郑永丰，陈明瑞，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：